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公开(公告)号：CN117754149A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410076577.4
申请日：2024-01-18
Applicant: 华侨大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供了一种多晶金刚石薄膜厚度均匀化处理装置及方法，涉及激光精密加工技术领域。包括激光处理器、激光测厚装置以及控制系统。通过该装置能够实现多晶金刚石薄膜材料的局部可控去除与加工区域薄膜厚度的原位实时监测，最终完成多晶金刚石薄膜厚度快速均匀化。
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