公开(公告)号：CN116947498B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202310844334.6

申请日：2023-07-11

Applicant: 华侨大学

Inventor： 刘勇军 ,  吴叔芳 ,  陈嘉兴

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/80 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明属于复合材料技术领域，具体公开了一种SiCf/SiC复合材料用纳米掺杂Ti3SiC2界面涂层及其制备方法，其中制备方法包括Ti3SiC2原料预处理、备用Ti3SiC2浆料制备、碳化硅纤维预处理、浸渍沉积、复合材料制备。本发明采用高速气流粉碎配合高能球磨、超声剥离处理使Ti3SiC2颗粒比单纯的球磨处理平均粒度更小且分布均匀。本发明的方法重复性好，对设备要求低，适用于大尺寸构件的大批量生产，同时能确保Ti3SiC2界面致密均匀孔隙少，Ti3SiC2纯度高，界面厚度可调控。

公开(公告)号：CN117623806A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311531567.7

申请日：2023-11-16

Applicant: 华侨大学

Inventor： 刘勇军 ,  吴叔芳 ,  陈嘉兴

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种SiCf/SiC复合材料用CaWO4界面涂层的制备方法，包括如下步骤：(1)采用化学沉淀法制备CaWO4纳米颗粒；(2)制备CaWO4浆料；(3)对碳化硅纤维束进行预处理；(4)浸渍制备CaWO4界面涂层；(5)以前驱体浸渍裂解法在含CaWO4界面涂层的碳化硅束上制备碳化硅基体。本发明选用CaWO4作为界面材料，CaWO4具有层状晶体结构，可以提供纤维/基体的弱结合，并通过微区塑性变形实现裂纹偏转，提高复合材料力学性质，制备过程简单易实现，可通过调控浆料浓度、浸渍次数实现界面厚度连续可调，从而调控复合材料的力学性质，满足其不同的使用要求。

公开(公告)号：CN116947498A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310844334.6

申请日：2023-07-11

Applicant: 华侨大学

Inventor： 刘勇军 ,  吴叔芳 ,  陈嘉兴

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/80 ,  C04B35/628

Abstract: 本发明属于复合材料技术领域，具体公开了一种SiCf/SiC复合材料用纳米掺杂Ti3SiC2界面涂层及其制备方法，其中制备方法包括Ti3SiC2原料预处理、备用Ti3SiC2浆料制备、碳化硅纤维预处理、浸渍沉积、复合材料制备。本发明采用高速气流粉碎配合高能球磨、超声剥离处理使Ti3SiC2颗粒比单纯的球磨处理平均粒度更小且分布均匀。本发明的方法重复性好，对设备要求低，适用于大尺寸构件的大批量生产，同时能确保Ti3SiC2界面致密均匀孔隙少，Ti3SiC2纯度高，界面厚度可调控。