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公开(公告)号:CN114539813B
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202011295983.8
申请日:2020-11-18
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本申请提供一种用作抛光的磨料的非球形的二氧化硅颗粒,为纳米二氧化硅通过与硅烷偶联剂反应而连接形成非球形的团簇,化学结构通式为(SiO2)a‑(A1)b‑(A2)c‑(SiO2)d,其中a、b和d均为大于等于1的自然数,c为大于等于0的自然数,A1、A2均为硅烷偶联剂水解接枝在SiO2表面的基团,A1和A2均通过硅氧基接枝在SiO2表面。本申请还提供该种非球形的二氧化硅颗粒的制备方法以及含有该种非球形的二氧化硅颗粒的抛光液。所述非球形的二氧化硅颗粒作为化学机械平坦化工艺的抛光液的磨料,具有高的去除速率且对产品(如芯片)的划痕少。
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公开(公告)号:CN114133548B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202010916206.4
申请日:2020-09-03
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种聚碳酸酯,其含有如下式(Ⅰ)所示的结构单元:其中,X为氧原子或硫原子,Ar为取代或未取代的多环芳基,m、n分别为1‑10的整数。该聚碳酸酯在具有高折射率的情况下,还具有低玻璃化转变温度和高韧性,便于加工成型。本申请实施例还提供了该聚碳酸酯的制备方法及一种热塑性组合物、光学制品及设备。
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公开(公告)号:CN114133548A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202010916206.4
申请日:2020-09-03
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种聚碳酸酯,其含有如下式(Ⅰ)所示的结构单元:其中,X为氧原子或硫原子,Ar为取代或未取代的多环芳基,m、n分别为1‑10的整数。该聚碳酸酯在具有高折射率的情况下,还具有低玻璃化转变温度和高韧性,便于加工成型。本申请实施例还提供了该聚碳酸酯的制备方法及一种热塑性组合物、光学制品及设备。
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公开(公告)号:CN116218189A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202211554287.3
申请日:2022-12-06
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请涉及高分子材料技术领域,提供了一种材料及其制备方法、材料的应用、研磨材料。本申请提供的材料,包括聚合物基材,以及分布在所述聚合物基材中的发泡微球;其中,所述发泡微球包括壳层以及由所述壳层包裹形成的泡孔结构;相邻所述泡孔结构之间的平均间距小于或等于100μm。本申请提供的材料,相邻泡孔结构之间的平均间距小于或等于100μm,由此形成的材料具有丰富的孔隙结构,密度低于0.4g/cm3。由于材料密度降低,因此,采用该材料作为研磨材料时,能够降低研磨材料对研磨材料整理器的磨损,并提高研磨工艺的工艺稳定性,有利于研磨材料在研磨过程中维持稳定的粗糙度。
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公开(公告)号:CN114539813A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202011295983.8
申请日:2020-11-18
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本申请提供一种用作抛光的磨料的非球形的二氧化硅颗粒,为纳米二氧化硅通过与硅烷偶联剂反应而连接形成非球形的团簇,化学结构通式为(SiO2)a‑(A1)b‑(A2)c‑(SiO2)d,其中a、b和d均为大于等于1的自然数,c为大于等于0的自然数,A1、A2均为硅烷偶联剂水解接枝在SiO2表面的基团,A1和A2均通过硅氧基接枝在SiO2表面。本申请还提供该种非球形的二氧化硅颗粒的制备方法以及含有该种非球形的二氧化硅颗粒的抛光液。所述非球形的二氧化硅颗粒作为化学机械平坦化工艺的抛光液的磨料,具有高的去除速率且对产品(如芯片)的划痕少。
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公开(公告)号:CN114433159A
公开(公告)日:2022-05-06
申请号:CN202011200692.6
申请日:2020-10-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: B01J27/24 , B01J21/08 , B01J37/10 , B01J35/10 , B01J35/02 , B01J37/02 , B01J33/00 , C09G1/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/306
Abstract: 本申请实施例提供一种用于化学机械平坦化的复合催化剂,包括载体、负载在所述载体上的催化剂纳米颗粒、以及将所述载体和所述催化剂纳米颗粒包裹在内的多孔保护层,所述载体包括无机物载体或高分子载体,所述多孔保护层包括多孔材料。该复合催化剂催化效率高,且本身不会对抛光液的pH范围构成限制,也不存在金属离子污染,有利于后清洗和降低器件缺陷率;多孔保护层的存在可避免催化剂纳米颗粒与器件表面直接摩擦,避免器件刮伤和催化剂失效。采用本申请实施例复合催化剂的抛光液进行化学机械平坦化工艺,可以在提高抛光速率的同时有利于后清洗工序,降低器件缺陷产生。本申请还提供了该复合催化剂的制备方法和采用该复合催化剂的抛光液。
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公开(公告)号:CN118834339A
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202310469799.8
申请日:2023-04-24
IPC: C08F293/00
Abstract: 本申请涉及功能性高分子材料技术领域,提供了一种图案化材料及其制备方法。所述一种图案化材料包括A嵌段和B嵌段,A嵌段的结构如式1所示,B嵌段的聚合单体包括式2所示的第一单体,且部分或全部第一单体络合M,或B嵌段的结构如式3所示;R1为H或CH3;R2为碳原子数为1~18的含F基团;R3为H或CH3;R4为碳原子数为1~30、且含有配位原子的不饱和基团;R5为碳原子数为1~30的取代或未取代烃基、含酯基基团或含羰基基团;R6为碳原子数为1~30的不饱和基团;M为具有顺磁性的金属离子。本申请提供的一种图案化材料,在外加磁场作用下自组装形成的图案缺陷率低。
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公开(公告)号:CN115873189A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202210434586.7
申请日:2022-04-24
IPC: C08F293/00 , C08F8/44
Abstract: 本申请涉及功能性高分子材料技术领域,提供了一种一种图案化材料及其制备方法。所述一种图案化材料包括A嵌段和B嵌段,A嵌段的结构如式1所示,B嵌段的聚合单体包括式2所示的第一单体,且部分或全部第一单体络合M,或B嵌段的结构如式3所示;R1为H或CH3;R2为碳原子数为1~18的含F基团;R3为H或CH3;R4为碳原子数为1~30、且含有配位原子的不饱和基团;R5为碳原子数为1~30的取代或未取代烃基、含酯基基团或含羰基基团;R6为碳原子数为1~30的不饱和基团;M为具有顺磁性的金属离子。本申请提供的一种图案化材料,在外加磁场作用下自组装形成的图案缺陷率低。
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