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发明公开
一种低温集成的圆片级微机电系统气密性封装工艺无效

公开(公告)号：CN1594067A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN03156716.9

申请日：2003-09-08

Applicant: 华中科技大学机械科学与工程学院

Inventor： 汪学方 , 张鸿海 , 刘胜 , 王志勇 , 马斌 , 贺德建

IPC: B81C5/00

Abstract: 一种低温集成的圆片级MEMS气密性封装工艺，包括以下步骤：1.在硅基片(1)上，蒸发淀积一层铝/铬层(2)；2.在铝/铬层(2)及MEMS器件(12)的上面，投铸一层光刻胶(3)，烘干；3.在硅基片(1)的上表面、铝/铬层(2)和光刻胶(3)上，蒸发淀积一层金/铬层(4)；4.在金/铬层(4)的周围涂铸一层树脂胶(5)；5.在树脂胶(5)中，电镀一层镍层(6)；6.暴露出铝/铬层(2)；7.形成牺牲孔(9)；8.将光刻胶(3)去掉；9.在原来铝/铬(2)层的位置，溅射淀积金/铬层(7)；10.电镀金层(8)，以封住牺牲孔(9)。本发明与现有技术相比，具有不变形、封装质量高、体积减小、工艺简单、成本低的优点。

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