公开(公告)号：CN114163231B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202111447880.3

申请日：2021-11-29

Applicant: 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

Inventor： 张光祖 ,  肖文荣 ,  张超 ,  窦占明 ,  姜胜林

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料及其制备方法和应用，复合陶瓷材料的化学组成为(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3/AlN；其中，0.0≤x≤0.7，AlN占陶瓷材料的质量百分数小于等于10％，且AlN为纳米级颗粒，分布在陶瓷材料内部晶粒之间的空隙。本发明通过引入低介电、宽禁带半导体材料AlN，提高材料整体击穿场强；通过引入弛豫元素Bi离子、Zn离子和Zr离子，提高材料体系的弛豫度，提高微观极性纳米微区的含量，进而提高材料的储能效率和温度稳定性。

公开(公告)号：CN114163231A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111447880.3

申请日：2021-11-29

Applicant: 华中科技大学 ,  深圳华中科技大学研究院

Inventor： 张光祖 ,  肖文荣 ,  张超 ,  窦占明 ,  姜胜林

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63

Abstract: 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料及其制备方法和应用，复合陶瓷材料的化学组成为(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3/AlN；其中，0.0≤x≤0.7，AlN占陶瓷材料(1‑x)(0.97BaTiO3‑0.03NaNbO3)‑xBi(Zn0.5Zr0.5)O3的质量百分数小于等于10％，且AlN为纳米级颗粒，分布在陶瓷材料内部晶粒之间的空隙。本发明通过在无铅脉冲电介质储能陶瓷材料中引入低介电、宽禁带半导体材料AlN，复合在无铅储能复合陶瓷材料中，提高整体击穿场强；通过在无铅脉冲电介质储能复合陶瓷材料中引入弛豫元素Bi离子、Zn离子和Zr离子，提高材料体系的弛豫度，提高微观极性纳米微区的含量，进而提高材料的储能效率和温度稳定性。

公开(公告)号：CN117383933A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311271947.1

申请日：2023-09-27

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 张超 ,  张光祖 ,  邹凯伦 ,  窦占明 ,  肖文荣 ,  姜胜林 ,  李康华

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  F25B21/00

Abstract: 本发明属于电卡制冷领域，具体涉及一种多层陶瓷电卡材料及其制备方法，该MLCs中预烧粉的化学组成为BaZrxTi1‑xO3‑Li2CO3；其中，0.15≤x≤0.3，1％≤Li2CO3≤10％。本发明主要通过改变锆钛比和烧结助剂的含量来共同调控预烧结瓷粉的电卡效应、烧结温度、烧结致密性。基于本发明调控成分后的预烧结瓷粉成功通过流延工艺制成了MLCs器件，该MLCs器件拥有大的电卡效应以及较低的制作成本。