公开(公告)号：CN106187195B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201610496893.2

申请日：2016-06-29

Applicant: 华中科技大学 ,  北京九鼎通信设备有限公司

Inventor： 刘洁 ,  付旻慧 ,  刘凯 ,  史玉升 ,  王君昆 ,  宋军 ,  曹平

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂‑碳化硅混合粉末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂‑碳化硅混合粉末为原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将固化后的所述碳化硅素坯放置于由Ar保护的中温管式烧结炉中进行碳化处理，以得到多孔碳化硅坯件；将所述多孔碳化硅胚件在真空下进行熔渗烧结处理，以得到致密的碳化硅陶瓷件。

公开(公告)号：CN106187195A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610496893.2

申请日：2016-06-29

Applicant: 华中科技大学 ,  北京九鼎通信设备有限公司

Inventor： 刘洁 ,  付旻慧 ,  刘凯 ,  史玉升 ,  王君昆 ,  宋军 ,  曹平

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/64

CPC classification number: C04B35/565 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/665

Abstract: 本发明公开了一种采用激光选区烧结工艺制备碳化硅陶瓷件的方法，包括以下步骤：按照预定质量比称取碳粉、碳化硅粉末、粘结剂及固化剂倒入球磨罐内，并进行球磨以得到粘接剂-碳化硅混合粉末；采用计算机对待制备的零件进行三维数字建模，并将三维数字模型信息输入到激光选区烧结成型机，以所述粘接剂-碳化硅混合粉末为原料，采用激光选区烧结快速成形工艺进行粉末烧结成型，以得到所述零件的碳化硅素坯；对所述碳化硅素坯进行加热固化；将固化后的所述碳化硅素坯放置于由Ar保护的中温管式烧结炉中进行碳化处理，以得到多孔碳化硅坯件；将所述多孔碳化硅胚件在真空下进行熔渗烧结处理，以得到致密的碳化硅陶瓷件。