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发明公开
一种用于真空环境的H2S气体传感器薄膜材料及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119595715A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411642292.9

申请日：2024-11-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 罗为 , 陈曦 , 陈凯欣

IPC: G01N27/12 , C23C18/12

Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，提出了一种用于真空环境的H2S气体传感器薄膜材料及其制备方法，所述薄膜材料为SnO2‑CuO或ZnO‑CuO复合材料。本发明制备的Cu离子掺杂的SnO2‑CuO和ZnO‑CuO复合薄膜，CuO与H2S的反应不依赖于氧气，CuO可直接与H2S反应生成CuS，所以能够在真空条件下实现高效的H2S气体检测。这一机制使得该传感器特别适合在航天器、深空探测等需要在低氧或真空条件下进行气体检测的应用场景。

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