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公开(公告)号：CN102999428A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210429537.0
申请日：2012-11-01
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明公开了一种瓦记录磁盘的四级编址方法，包括以下步骤：将瓦记录磁盘的逻辑空间划分为“区-段-块-扇区”的四级结构，采用径向编址的方式对划分后的四级结构进行编址，采用对称堆叠式的磁道布局对编址后的四级结构的区间间隔进行优化，对编址后的四级结构的瓦记录磁盘进行读写操作。本发明针对瓦记录磁盘随机写限制，对瓦记录磁盘的数据结构和磁道布局进行优化，并且结合闪存和内存的读写速度快优势，组成三级架构的瓦记录磁盘系统，来解决传统瓦记录磁盘的随机写性能差的问题，使其在倍增磁盘可用容量的同时，避免性能的下降，并提高读写速度。
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