公开(公告)号：CN110350093A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201810313355.4

申请日：2018-04-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 韩宏伟 ,  胡玥 ,  吴佳汶 ,  管焱俊

IPC: H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种基于熔融法制备太阳能电池吸光层的方法及其应用，其中吸光层的制备方法为：在衬底上依次制备透明导电层、电荷传输层、绝缘层和碳对电极层；将半导体吸光材料置于碳对电极层表面后，通过加热使得半导体吸光材料达到熔点熔化，进而依次渗透进入碳对电极层、绝缘层和电荷传输层；或将半导体吸光材料溶解填充只三层介孔膜结构中，烘干后加热使得该半导体吸光材料达到熔点熔化退火处理。所述半导体吸光材料的熔点小于450℃。本发明工艺简单、不使用有毒溶剂、环境友好。

公开(公告)号：CN110350093B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201810313355.4

申请日：2018-04-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 韩宏伟 ,  胡玥 ,  吴佳汶 ,  管焱俊

IPC: H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种基于熔融法制备太阳能电池吸光层的方法及其应用，其中吸光层的制备方法为：在衬底上依次制备透明导电层、电荷传输层、绝缘层和碳对电极层；将半导体吸光材料置于碳对电极层表面后，通过加热使得半导体吸光材料达到熔点熔化，进而依次渗透进入碳对电极层、绝缘层和电荷传输层；或将半导体吸光材料溶解填充只三层介孔膜结构中，烘干后加热使得该半导体吸光材料达到熔点熔化退火处理。所述半导体吸光材料的熔点小于450℃。本发明工艺简单、不使用有毒溶剂、环境友好。