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公开(公告)号：CN116002989B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202211677279.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
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公开(公告)号：CN116002989A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211677279.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
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公开(公告)号：CN117674727A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311470077.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种液相介质及太阳能电池板的液帘装置，通过在太阳能电池板表面构建流动的液帘；用以调整入射光光谱，带走太阳能电池板工作条件下吸光产生的热量，去除太阳能电池板表面的积灰积尘，阻止异物在电池板表面的沉积，优化电池板与空气之间的光反射性能；将高能光子、低能光子转变为所述太阳能电池板的光谱响应光，以提高所述太阳能电池板的光电转换率；吸收过滤选定频段的入射光，以降低所述选定频段的入射光对所述太阳能电池板的不利影响；实现抑制光致退化，降低工作温度，保持电池板表面清洁，减少界面反射与杂质吸收等光损失的目的；进而提升太阳能电池板在工作条件下的实际发电能力。
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