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公开(公告)号：CN111910154B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202010745418.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁技术领域，公开了一种动态频率选择表面结构及其制备方法，该结构由被动式频率选择表面基体以及位于该基体上的导电性能调节组件组成，其中导电性能调节组件位于单个被动式频率选择表面单元结构的内部，或者用于连接两个相邻的被动式频率选择表面单元。导电性能调节组件会在改变温度或光照强度等环境条件的作用下发生导体和绝缘体之间的转变，从而使频率选择表面导电阵子的单元结构发生动态变化。本发明通过对动态频率选择表面的单元结构组成及它们的设置方式、连接关系等进行改进，能够有效解决主动式频率选择表面使用集成电路元件带来的性能恶化等问题，从而有效实现选择性透过频率的动态变化。
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公开(公告)号：CN111910154A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010745418.0
申请日：2020-07-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁技术领域，公开了一种动态频率选择表面结构及其制备方法，该结构由被动式频率选择表面基体以及位于该基体上的导电性能调节组件组成，其中导电性能调节组件位于单个被动式频率选择表面单元结构的内部，或者用于连接两个相邻的被动式频率选择表面单元。导电性能调节组件会在改变温度或光照强度等环境条件的作用下发生导体和绝缘体之间的转变，从而使频率选择表面导电阵子的单元结构发生动态变化。本发明通过对动态频率选择表面的单元结构组成及它们的设置方式、连接关系等进行改进，能够有效解决主动式频率选择表面使用集成电路元件带来的性能恶化等问题，从而有效实现选择性透过频率的动态变化。
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