公开(公告)号：CN102086119A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN201010580550.7

申请日：2010-12-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  马争争 ,  田召明 ,  李建青

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明公开了一种室温多铁性BiFeO3-SrTiO3固溶体陶瓷的制备方法，属于信息功能材料技术领域。利用本方法制备得到的BiFeO3-SrTiO3陶瓷具备结构单相、低漏电流和室温铁电/铁磁共存等特性。

公开(公告)号：CN101229931A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810046783.1

申请日：2008-01-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  何惊华 ,  田召明 ,  王永强

IPC: C01G49/08

Abstract: 一种纳米Fe3O4的制备方法，采用柠檬酸－硝酸盐溶胶凝胶自蔓延燃烧反应法，其步骤为：a.将分析纯Fe(NO3)3·9H2O和分析纯C6H8O7·H2O溶解于去离子水中；b.将配置好的混合水溶液放入水浴箱中超声波搅拌，然后在水浴中蒸发直到转变成透明的铁的柠檬酸络合物凝胶为止；c.将所得湿的凝胶放在烘箱中进一步干燥以除去剩余的水分，再将除去剩余水分的凝胶放到电阻炉上加热直到凝胶开始自然为止；d.将自蔓延燃烧所得到的Fe3O4的前驱蓬松物质，经研磨均匀得到粉体，然后在惰性气体气氛炉中烧结，最后自然降至到室温，即可获得纳米Fe3O4粉体。本发明制备的Fe3O4纯度高，无污染，达到了绿色合成目的。

公开(公告)号：CN101941838B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201010111753.1

申请日：2010-02-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 田召明 ,  袁松柳 ,  伍茂松 ,  马峥峥

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/26 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明属于信息功能材料技术领域，具体涉及一种BiFeO3-Bi0.5Na0.5TiO3基多铁性固溶体陶瓷及其制备方法，包括如下步骤：将硝酸铋和硝酸铁加入柠檬酸溶液中溶解形成BiFeO3透明溶液，将钛酸丁酯、硝酸铋和硝酸钠加入到柠檬酸溶液中溶解形成Bi0.5Na0.5TiO3透明溶液，将BiFeO3溶液与Bi0.5Na0.5TiO3溶液按一定摩尔比混合，然后用氨水调节pH值为7～7.5，混合溶液通过陈化，除水分，干燥，形成黑色干凝胶；将干凝胶研磨，热处理排除有机物得到前驱粉体；将前驱粉体研磨、压片烧结，即得到本发明的BiFeO3-Bi0.5Na0.5TiO3基固溶体陶瓷。该固溶体陶瓷具备结构单相、低漏电流和室温铁电/铁磁共存等特性，在新兴的自旋阀器件、磁电存储器、磁电传感器和微波共振器件制造方面具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN101955354A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010514378.5

申请日：2010-10-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  邱洋 ,  陈亮 ,  田召明

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/624

Abstract: 本发明涉及电子信息元器件材料领域，它公开了一种巨介电-非线性低压压敏陶瓷及其制备方法，本发明利用柠檬酸为络合剂的溶胶－凝胶法，制备分子式为Bi0.5-xNa0.5-xBa2xCu3Ti4O12（0＜X≤0.075）的巨介电--非线性低压压敏陶瓷材料。本发明制备得到的陶瓷具有巨大的介电常数和非线性低压压敏电阻效应，是一类具有广阔应用前景的多功能陶瓷材料，并且可以通过改变Ba的比例来调节材料的介电性能和压敏特性；本发明的制备方法工艺操作简单，周期短，成本低廉，环保无毒，无需还原气氛等特点。

公开(公告)号：CN101224904A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810046782.7

申请日：2008-01-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  王永强 ,  田召明 ,  何惊华

IPC: C01G9/02

Abstract: 一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法，采用共沉淀法，其制备方法包括：A.制备Fe3+、Zn2+混和溶液和NaOH溶液；B.将上述溶液混合，形成沉淀物，并对沉淀物过滤、分离和洗涤；C.将沉淀物烘干、预烧结、研磨、压片和烧结后，得到Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料。本发明提供了一种全新的Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法，该制备出的Fe掺杂ZnO半导体材料，具有室温铁磁性。

公开(公告)号：CN101219478A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710168978.9

申请日：2007-12-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  田召明 ,  王永强 ,  何惊华

IPC: B22F9/24

Abstract: 一种Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉的制备方法，采用化学沉淀法，其制备方法包括：A.制备氯化亚锡和乙酸锰的混合溶液以及碳酸氢氨无水乙醇溶液；B.在超声波分散和水浴条件下，将上述溶液混合；C.将上步所得溶液陈化，得到的沉淀过滤，用去离子水多次洗涤，直到溶液pH为中性为止，所得的沉淀在烘箱中干燥，研磨得到原始粉体；D.将原始粉体在空气中退火处理，即得到Mn掺杂SnO2室温稀磁半导体纳米粉。本发明可以在低温下制备出具备室温铁磁性的Mn掺杂SnO2纳米粉。

公开(公告)号：CN101830523B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201010195413.1

申请日：2010-06-09

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  陈亮 ,  段寒凝 ,  郑先锋 ,  田召明

IPC: C01G53/04

Abstract: 本发明公开了镍基氧化物纳米结构的制备方法，属于电子信息元器件材料领域。该方法采用有机液相化学反应法，在氧气氛下利用油胺的高沸点提供高温反应环境，并以乙酰丙酮镍为镍源和三苯基膦为表面活性剂来合成NiO核壳纳米颗粒。该方法简单，所需原材料较少，成本较低。

公开(公告)号：CN101671178A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910272219.6

申请日：2009-09-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  田召明 ,  尹诗岩

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/462

Abstract: 本发明公开了一种Bi 0.5 Na 0.5 Cu 3 Ti 4 O 12 巨介电非线性压敏陶瓷的制备方法，属于电子信息元器件材料领域。本发明利用柠檬酸和乙二酸四乙胺为络合剂的溶胶-凝胶法制备Bi 0.5 Na 0.5 Cu 3 Ti 4 O 12 陶瓷。利用本发明制备得到的陶瓷具有大的介电常数和高的非线性压敏系数，是一类具有广阔应用前景的新型电容-压敏双功能陶瓷材料，并且可以通过改变烧结温度调控材料的介电性能和非线性压敏性能。

公开(公告)号：CN100594565C

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200810046781.2

申请日：2008-01-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  田召明 ,  王永强 ,  何惊华

IPC: H01F1/032 ,  H01F1/11 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: 一种铁氧体纳米颗粒嵌入反铁磁氧化物母体的复合材料及其制备方法，其制备方法包括：A.配置金属离子混合溶液；B.将碳酸氢氨水溶液加入到上述金属离子混合溶液中，形成沉淀；C.将沉淀过滤和洗涤后，干燥直至得到干燥的粉体；D.将粉体空气中高温烧结，从而形成铁氧体纳米颗粒嵌入反铁磁氧化物母体的复合材料。本方法制备出的铁氧体纳米颗粒嵌入反铁磁氧化物母体的复合材料具有磁交换偏置效应。

公开(公告)号：CN101188157A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710168900.7

申请日：2007-12-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁松柳 ,  田召明 ,  王永强 ,  何惊华

IPC: H01F1/40 ,  H01F41/00 ,  C01G23/053 ,  B22F9/16

Abstract: 一种钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体及其制备方法，其制备方法包括：A.制备钒离子的前驱体溶液和钛离子的前驱体溶液；B.将两种溶液混合，形成溶胶；C.将溶胶在在室温下陈化，形成湿凝胶，在烘箱中干燥，直至形成干凝胶；D.将干凝胶研磨，得到干凝胶粉，在空气中热处理，排除有机物；E.在惰性气氛中退火，制成钒掺杂氧化钛稀磁半导体纳米粉。本发明方法制得的钒掺杂氧化钛纳米稀磁半导体为粉状，并可以表现出室温铁磁性。