Patent search ap:("华中科技大学") AND inv:"王耿" Page 1

1.

发明公开
一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法无效

公开(公告)号：CN108264348A

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201810087894.0

申请日：2018-01-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 傅邱云 , 王耿 , 周东祥 , 郑志平 , 罗为

IPC: C04B35/50 , C04B35/46 , C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高介电常数低损耗微波介质陶瓷及其制备方法，其中，高介电常数低损耗微波介质陶瓷包括主晶相，所述主晶相的化学表达式为Ba6-3x(PrySm1-y)8+2xTi18O54，其中，1/2≤x≤2/3，0≤y≤0.25。本发明创造性的使用少量Pr对进行Sm置换，得到高介电常数低损耗微波介质陶瓷Ba6-3x(PrySm1-y)8+2xTi18O54，其中，1/2≤x≤2/3，0≤y≤0.25。本发明的高介电常数低损耗微波介质陶瓷具有近零温度系数-11.5ppm/℃～+5.1ppm/℃，高介电常数78.1～83.8，较高的品质因数7100GHz～9700GHz。

Patent Agency Ranking