公开(公告)号：CN103224218B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310127162.7

申请日：2013-04-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴丰顺 ,  祝温泊 ,  夏卫生 ,  赖建军 ,  刘辉 ,  王百慧

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括S1在框架基板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2在框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3将芯片键合固定在框架基板上并实现信号互连；S4将固定有芯片的框架基板与封盖进行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5对封装结构施加压力、预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金互连。本发明将封盖直接与框架基板键合，简化了生产工艺和结构，降低成本；在焊接过程中，自蔓延燃烧反应不会对封装内部真空度造成影响；反应升降温速度快，热影响区小，在钎料层熔化完成键合的同时，芯片及封盖不会受到热影响，提高了器件的可靠性，延长了工作寿命。

公开(公告)号：CN103224218A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310127162.7

申请日：2013-04-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴丰顺 ,  祝温泊 ,  夏卫生 ,  赖建军 ,  刘辉 ,  王百慧

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种MEMS器件的封装方法，包括S1在框架基板与封盖的内表面上对称附着图形化的过渡金属化层和钎料层；S2在框架基板的钎料层上附着图形化的自蔓延多层膜；S3将芯片键合固定在框架基板上并实现信号互连；S4将固定有芯片的框架基板与封盖进行除气除湿处理后对准堆叠形成封装结构；S5对封装结构施加压力、预热后引燃自蔓延多层膜，自蔓延多层膜燃烧并熔化钎料层实现冶金互连。本发明将封盖直接与框架基板键合，简化了生产工艺和结构，降低成本；在焊接过程中，自蔓延燃烧反应不会对封装内部真空度造成影响；反应升降温速度快，热影响区小，在钎料层熔化完成键合的同时，芯片及封盖不会受到热影响，提高了器件的可靠性，延长了工作寿命。