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公开(公告)号：CN109473529B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811141716.8
申请日：2018-09-28
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种纳米阵列结构薄膜的制备方法，首先制备纳米阵列结构模板，然后在纳米阵列结构模板上旋涂薄膜材料，固化后剥离即可得到纳米阵列结构薄膜。具体步骤包括：覆盖保护层、光刻、干法刻蚀保护层、湿法刻蚀蓝宝石衬底、去除保护层、旋涂薄膜材料、固化剥离。本发明还提供一种纳米阵列结构薄膜，由上述纳米阵列结构薄膜的制备方法制得。本发明又提供一种LED器件，包括LED芯片、密封剂及上述的纳米阵列结构薄膜，纳米阵列结构薄膜通过密封剂固定在LED芯片出光面和侧壁。该LED器件具有较好的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109860377A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811517460.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种采用紫外激发的白光LED，包括依次设置的紫外LED芯片、绿色荧光玻璃、涂覆有红色量子点的纳米图形化衬底，所述绿色荧光玻璃设置于所述紫外LED芯片的出光面的上方，所述涂覆有红色量子点的纳米图形化衬底设置于所述绿色荧光玻璃上。用紫外LED芯片激发绿色荧光玻璃与红色量子点来获得白光，这种设置能够提高白光LED的显色指数；采用绿色荧光玻璃避免了LED长期使用老化有机聚合物变黄的现象，并且提高了其热稳定性、解决了有机化合物会受荧光粉层影响的问题；采用涂覆有红色量子点的纳米图形化衬底，通过纳米图形化衬底结构，抑制了界面处的全反射，从而提高了LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109841720A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811516454.9
申请日：2018-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种白光LED器件制备方法,步骤为：化学机械抛光得到蓝宝石片，使用激光切割蓝宝石表面，掩膜制备、刻蚀、裂片，得到上表面具备蛾眼微结构阵列的蓝宝石片；制备荧光粉层，并在空气炉中烧结，得到具备蛾眼微结构阵列荧光玻璃；在芯片和陶瓷基板上方涂覆硅胶；将具备蛾眼微结构阵列的荧光玻璃设置于硅胶上方；固化得到白光LED器件。本发明还提供了使用该方法制备的白光LED器件。相较于现有技术，本申请的白光LED器件制备方法工艺简单，适用于工业化生产，白光LED器件克服材料紫外照射下有机聚合物变黄的问题，提高白光LED的光提取效率。
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公开(公告)号：CN109786537A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811610243.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于LED器件领域，公开了一种全无机LED封装结构，包括围坝型的覆铜陶瓷基板、设置在覆铜陶瓷基板内部的LED芯片，设置在覆铜陶瓷基板顶部的平面石英玻璃、设置在平面石英玻璃下表面的第一金属层；第一金属层的大小为平面石英玻璃与覆铜陶瓷基板接触的区域的大小；第一金属层由上至下依次包括Cr、Pt、Au金属层，第一金属层的总厚度为0.9μm～2μm；本发明还公开了一种全无机LED封装结构的制备方法，包括LED芯片固晶、制备第一金属层、完成LED封装。本发明的目的在于解决现有技术中LED封装技术得到的LED器件可靠性低及容易透气、透湿的技术问题。
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公开(公告)号：CN109742220A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811588605.1
申请日：2018-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种含液态量子点的白光LED及其制备方法，所述含液态量子点的白光LED制备方法的步骤包括：液态量子点稀释，配置浆料，丝网印刷并干燥，低温烧结，封装并固化。本发明有效避免了蓝光危害，显著提高了白光LED的显色指数及光色一致性，降低了LED的色温，并有效减缓了因有机聚合物老化而导致的光效降低情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273582A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810876587.0
申请日：2018-08-03
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/58 , B82Y40/00 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明提供了一种纳米阵列结构透镜的制备方法，具体步骤包括：覆盖保护层、光刻、干法刻蚀保护层、湿法刻蚀蓝宝石衬底、去除保护层。本发明提供的制备方法，将纳米光刻和干湿法蚀刻相结合，能够在蓝宝石衬底上制作均匀的，大面积的且易于控制的纳米阵列，从而在透镜中形成从而形成纳米阵列结构。本发明还提供一种纳米阵列结构透镜，由上述纳米阵列结构透镜的制备方法制得。本发明又提供一种深紫外LED，包括LED芯片、密封剂及上述的纳米阵列结构透镜，该深紫外LED具有较好的光提取效率。
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公开(公告)号：CN114090817A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111409289.9
申请日：2021-11-23
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F16/583 , G06K9/62 , G06V40/16 , G06V10/40 , G06V10/80
Abstract: 一种人脸特征数据库动态构建方法、装置及存储介质，所述方法包括步骤：获取基础人脸特征库；获取第一人脸图片；根据所述第一人脸图片生成第一融合特征向量；根据所述基础人脸特征库和所述第一融合特征向量生成第一动态人脸特征数据库；获取第二人脸图片；根据所述第二人脸图片生成第二融合特征向量；根据所述第一动态人脸特征数据库和所述第二融合特征向量生成第二动态人脸特征数据库。本申请提供的一种人脸特征数据库动态构建方法、装置及存储介质，满足了当前移动互联环境下对人脸特征数据库构建的新要求，减轻了不同输入设备和输入环境中人物图片输入带来的影响，提高了人脸识别模型的识别准确度，对人脸识别功能进一步工程化落地提供了支撑。
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公开(公告)号：CN109585633A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811187933.0
申请日：2018-10-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种LED封装结构，包括基板、焊盘、LED芯片，所述焊盘设置于所述基板上，所述焊盘上设有绝缘沟槽，所述LED芯片横跨于所述绝缘沟槽上、且通过粘接层设置于所述焊盘上，所述焊盘上位于LED芯片的四周设有反射层，所述绝缘沟槽的内表面设有反射层。本发明还提供一种LED器件，包括上述的LED封装结构。本发明提供的LED封装结构使用了具备高反射率的胶体作为反射层，特定厚度的反射层胶体均匀地覆盖在绝缘沟槽和焊盘的内表面，能有效反射射向焊盘内部的光线，特别是绝缘沟槽内的光线，从而有效增强LED器件的出光效果。
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公开(公告)号：CN109851823A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811569667.8
申请日：2018-12-21
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯导热硅胶及其制备方法，该石墨烯导热硅胶主要组成是AB胶和石墨烯纳米片，主要制备工艺流程包括制备石墨烯纳米片乙醇溶液、制备石墨烯纳米片乙醇溶液与B胶混合液、高速离心置换、混合A胶与B胶、烘烤固化等，石墨烯纳米片与硅胶的B胶组分重量比为1～3：25，硅胶的A胶与硅胶的B胶组分重量比为1:1，进行搅拌脱泡，制备成2～6wt％的石墨烯导热硅胶。该发明使用液相置换法，能够制备高浓度、高分散度的石墨烯导热硅胶，从而提高界面的热传导能力，降低接触热阻。制备得到的4wt％石墨烯导热硅胶具备绝缘性好、导热高的特性，其导热系数高达7.2W/(m·K)。
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公开(公告)号：CN109742220B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201811588605.1
申请日：2018-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种含液态量子点的白光LED及其制备方法，所述含液态量子点的白光LED制备方法的步骤包括：液态量子点稀释，配置浆料，丝网印刷并干燥，低温烧结，封装并固化。本发明有效避免了蓝光危害，显著提高了白光LED的显色指数及光色一致性，降低了LED的色温，并有效减缓了因有机聚合物老化而导致的光效降低情况。
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