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公开(公告)号：CN102655187A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210125996.X
申请日：2012-04-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备锡硫化合物叠层太阳能电池的方法，其通过在薄膜制备过程中通入氢气的方法进行p型或n型锡硫薄膜的沉积，通过薄膜的叠加，从而制备出锡硫叠层薄膜太阳电池。利用等离子体化学气相沉积的方法，通过控制通入氢气的流量、时间以及加入的原料的量或配比等各工艺参数，调节沉积过程中腔体中硫和锡元素的配比，进而调节制备出的薄膜中两种元素的配比，可以对沉积的各层薄膜的厚度和禁带宽度进行控制，得到较为理想的锡硫叠层薄膜太阳电池。本发明制备工艺简单，在同一设备中即可完成，避免了掺杂较为复杂的工艺，降低了生产成本，缩短了生产周期，为叠层薄膜太阳电池的制备提供了一种更为简单、高效的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104167469A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410395339.6
申请日：2014-08-12
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池的一次性制备方法，该方法包括以下步骤：基片预处理，混合原料备用，真空获得与基片加热，氩气等离子体清洗腔体和基片，等离子体增强化学气相沉积法沉积异质结，真空退火冷却，制备SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池，本方法中通过设置混合原料的比例，并设定反应源加热温度数值T与反应沉积时间数值t的关系，就能在一次实验过程中先后沉积出质量比较优异SnS2和SnS薄膜，从而直接一次性制备出太阳能电池的核心部件p-n结，大大缩短了SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池的制作周期与制作成本。
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公开(公告)号：CN102751178A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210128151.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备薄膜太阳能电池p-n结的方法，包括：清洗基片，并用氮气干燥，将基片置于等离子体化学气相沉积系统的腔体内的基片台上，将含锡和硫的原料分别放于两个坩埚内，并放入等离子体化学气相沉积系统的原料蒸发装置中，关闭腔体，并抽真空，通入氩气，以产生氩气等离子体，利用氩气等离子体对等离子体化学气相沉积系统的腔体和腔体中的基片进行清洗处理，对基片进行加热，在清洗后的基片表面制备n型和p型锡硫薄膜，在等离子体化学气相沉积系统的腔体中对制备出的n型和p型锡硫薄膜进行真空退火，将退火处理后的n型和p型锡硫薄膜在氩气环境中冷却至室温。本发明制备工艺简单，能满足大面积、高速度沉积的要求。
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公开(公告)号：CN104167469B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410395339.6
申请日：2014-08-12
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池的一次性制备方法，该方法包括以下步骤：基片预处理，混合原料备用，真空获得与基片加热，氩气等离子体清洗腔体和基片，等离子体增强化学气相沉积法沉积异质结，真空退火冷却，制备SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池，本方法中通过设置混合原料的比例，并设定反应源加热温度数值T与反应沉积时间数值t的关系，就能在一次实验过程中先后沉积出质量比较优异SnS2和SnS薄膜，从而直接一次性制备出太阳能电池的核心部件p-n结，大大缩短了SnS2/SnS异质结薄膜太阳能电池的制作周期与制作成本。
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公开(公告)号：CN102751178B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201210128151.6
申请日：2012-04-27
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备薄膜太阳能电池p-n结的方法，包括：清洗基片，并用氮气干燥，将基片置于等离子体化学气相沉积系统的腔体内的基片台上，将含锡和硫的原料分别放于两个坩埚内，并放入等离子体化学气相沉积系统的原料蒸发装置中，关闭腔体，并抽真空，通入氩气，以产生氩气等离子体，利用氩气等离子体对等离子体化学气相沉积系统的腔体和腔体中的基片进行清洗处理，对基片进行加热，在清洗后的基片表面制备n型和p型锡硫薄膜，在等离子体化学气相沉积系统的腔体中对制备出的n型和p型锡硫薄膜进行真空退火，将退火处理后的n型和p型锡硫薄膜在氩气环境中冷却至室温。本发明制备工艺简单，能满足大面积、高速度沉积的要求。
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公开(公告)号：CN102655187B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210125996.X
申请日：2012-04-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备锡硫化合物叠层太阳能电池的方法，其通过在薄膜制备过程中通入氢气的方法进行p型或n型锡硫薄膜的沉积，通过薄膜的叠加，从而制备出锡硫叠层薄膜太阳电池。利用等离子体化学气相沉积的方法，通过控制通入氢气的流量、时间以及加入的原料的量或配比等各工艺参数，调节沉积过程中腔体中硫和锡元素的配比，进而调节制备出的薄膜中两种元素的配比，可以对沉积的各层薄膜的厚度和禁带宽度进行控制，得到较为理想的锡硫叠层薄膜太阳电池。本发明制备工艺简单，在同一设备中即可完成，避免了掺杂较为复杂的工艺，降低了生产成本，缩短了生产周期，为叠层薄膜太阳电池的制备提供了一种更为简单、高效的方法。
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