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公开(公告)号：CN117154979A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311108503.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02K1/2781 , H02K1/28 , H02K1/27915
Abstract: 本发明公开了一种无磁钢盒的永磁电机转子结构，包括转子背板，转子背板的外表面周向均匀间隔安装有多个未充磁的永磁体，各永磁体的形状与其所在转子背板位置处的形状相适配，且相邻两永磁体的极性相反；永磁体采用多个永磁块拼接而成或采用一体化成型设计，永磁体的表面曲率根据所需产生的气隙磁场位形进行调整。本发明提供的永磁电机转子结构去掉了传统磁钢盒结构，将永磁体直接安装在转子背板上，可使得永磁体所产生的磁场直接作用于定转子间气隙，有效提高永磁体产生磁场的利用率；另外直接通过调整永磁体表面进行磁场调控，可减少磁钢盒对于气隙磁场的影响因素，因而可以更容易使得每一极产生磁场相同，提高磁场的均匀度。
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公开(公告)号：CN111503932A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010358334.1
申请日：2020-04-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高温超导材料及脉冲励磁的制冷系统及方法，系统包括两个对称设置的磁场源单元和励磁线圈单元，脉冲电源单元、导磁单元、磁制冷工质单元、热端换热器单元、冷端换热器单元、运动单元。本发明磁场源单元采用了高温超导材料，其剩余磁场远高于传统的永磁材料，使得磁制冷工质单元得失磁后的磁熵变更大，单次热力学循环磁制冷功率更高。励磁线圈单元则由脉冲电源单元提供能量，能重复对磁场源单元充退磁，一方面多次充磁，能使磁场源单元俘获磁场大小达到最优状态；另一方面弥补了高温超导材料因磁通蠕变导致的磁场衰减。此方法具备便携、控制方便、维护成本较低等优点。
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公开(公告)号：CN113903543B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111042641.X
申请日：2021-09-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于模块化线圈的永磁电机充磁装置及充磁方法。该装置包括：线圈组件，包括若干个线圈，线圈的数量和排列方式根据各磁极所需磁场位形确定，线圈组件分单次或多次放电对应完成对永磁电机整列或部分列磁极的充磁，每次充磁的磁极组成单元磁极组；固定底座，若干个线圈根据待充单元磁极组中各磁极所需磁场位形、以及磁力线分布特点，可拆卸式固定设置在固定底座表面的相应位置上；脉冲电源，若干个线圈的进出线按照待充单元磁极组中各磁极所需磁场方向、正接或反接在脉冲电源的正负极两端。本发明通过对多个线圈的灵活配合实现对磁场分布的调控，可适用于不同规格、不同场景下电机的整体充磁。
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公开(公告)号：CN116130203B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310244120.5
申请日：2023-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明公开了一种永磁电机原位整体充退磁方法，包括如下步骤：将预先制作完成的绝缘层和金属薄片交替沿着组装完成的永磁电机定子和转子间气隙插入，接着放入定子或转子上的待充磁或退磁的磁极间隙中，绝缘层和金属薄片的尺寸结构相同，绝缘层和金属薄片交替堆叠构成线圈；将线圈接入电源，当需对永磁电机进行充磁或补充磁操作时，在线圈两端通入电流，使线圈产生的磁场方向与待充磁磁极的充磁方向相同；当无法通过补充磁对永磁电机进行维护时，对永磁电机进行退磁操作，在线圈两端通入交流衰减电流。本发明可有效解决传统在定转子装配前对永磁体进行充磁，存在定转子装配困难、维护成本高和污染大的问题。
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公开(公告)号：CN113903543A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111042641.X
申请日：2021-09-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于模块化线圈的永磁电机充磁装置及充磁方法。该装置包括：线圈组件，包括若干个线圈，线圈的数量和排列方式根据各磁极所需磁场位形确定，线圈组件分单次或多次放电对应完成对永磁电机整列或部分列磁极的充磁，每次充磁的磁极组成单元磁极组；固定底座，若干个线圈根据待充单元磁极组中各磁极所需磁场位形、以及磁力线分布特点，可拆卸式固定设置在固定底座表面的相应位置上；脉冲电源，若干个线圈的进出线按照待充单元磁极组中各磁极所需磁场方向、正接或反接在脉冲电源的正负极两端。本发明通过对多个线圈的灵活配合实现对磁场分布的调控，可适用于不同规格、不同场景下电机的整体充磁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112185647B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910596627.0
申请日：2019-07-04
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种周期性背景磁场的产生装置及方法，包括导线单元两个、永磁单元两个、骨架单元、脉冲电源单元，永磁单元分别紧贴在骨架单元的内壁，中间形成中空区域，脉冲电源单元的正负极分别与两个导线单元相连；本发明基于永磁体在有剩磁条件下，能长时间稳定保持磁性，不需要额外消耗能量的特点，通过输入脉冲电流即可对永磁单元进行充退磁，周期性重复充退磁过程，使永磁体不断的充磁和失磁，实现对背景磁场开关的控制，即可在背景磁场区域产生周期性的稳定背景磁场，能够解决传统电磁体需持续输入电流产生的电损耗与温升较高的问题，适用于不同场景。
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公开(公告)号：CN119401139A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411618277.0
申请日：2024-11-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01R4/20 , H01R43/048 , H01R13/52 , H01F7/02
Abstract: 本发明属于导线冷压对接技术领域，公开了一种方形铜导线冷压对接装置及方法，装置包括：同轴设置的上锁紧部件，上楔形块，下楔形块，下锁紧部件，及导线套筒；导线套筒内部用于固定放置相对导线套筒顶端高度相同且待冷压面相向的两根方形铜导线的待对接端部，且导线套筒的材料有柔韧性；下楔形块和上楔形块依次套接在导线套筒外部，下楔形块和上楔形块整体结构中心与待对接端部的中心相对导线套筒顶端相同，且下楔形块和上楔形块的接触面相适配；下楔形块，上楔形块及导线套筒放置在下锁紧部件内，且上锁紧部件与下锁紧部件锁紧，用于对待对接端部的两个待冷压面进行冷压对接。本发明能够提升方形铜导线冷压对接的均匀性，以提升电气和机械性能。
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公开(公告)号：CN116130203A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310244120.5
申请日：2023-03-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明公开了一种永磁电机原位整体充退磁方法，包括如下步骤：将预先制作完成的绝缘层和金属薄片交替沿着组装完成的永磁电机定子和转子间气隙插入，接着放入定子或转子上的待充磁或退磁的磁极间隙中，绝缘层和金属薄片的尺寸结构相同，绝缘层和金属薄片交替堆叠构成线圈；将线圈接入电源，当需对永磁电机进行充磁或补充磁操作时，在线圈两端通入电流，使线圈产生的磁场方向与待充磁磁极的充磁方向相同；当无法通过补充磁对永磁电机进行维护时，对永磁电机进行退磁操作，在线圈两端通入交流衰减电流。本发明可有效解决传统在定转子装配前对永磁体进行充磁，存在定转子装配困难、维护成本高和污染大的问题。
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公开(公告)号：CN115346755B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211013185.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明提供一种永磁电机转子充磁装置及方法，包括：充磁绕组；充磁绕组由多个子绕组沿圆周方向串联组成，每个子绕组通电后产生一个极对数磁场，充磁绕组的端部远离圆周方向的内部；充磁绕组通电后产生具有多个极对数的磁场，极对数总数与待充磁永磁电机转子的极对数总数相同；向充磁绕组内部通入脉冲电流，使得充磁绕组在永磁电机转子的各个磁极处产生超过磁极矫顽力的感应磁场，以对各个磁极进行充磁；其中，每个子绕组产生一对方向相反的磁场，且相邻两个子绕组对应的邻接磁场方向相反，以实现多个子绕组间电磁力自平衡，降低充磁绕组的机械应力，保证充磁装置的充磁能力。本发明降低充磁绕组的机械应力且避免了多工步充磁工序潜在的退磁风险。
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公开(公告)号：CN115346755A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202211013185.0
申请日：2022-08-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明提供一种永磁电机转子充磁装置及方法，包括：充磁绕组；充磁绕组由多个子绕组沿圆周方向串联组成，每个子绕组通电后产生一个极对数磁场，充磁绕组的端部远离圆周方向的内部；充磁绕组通电后产生具有多个极对数的磁场，极对数总数与待充磁永磁电机转子的极对数总数相同；向充磁绕组内部通入脉冲电流，使得充磁绕组在永磁电机转子的各个磁极处产生超过磁极矫顽力的感应磁场，以对各个磁极进行充磁；其中，每个子绕组产生一对方向相反的磁场，且相邻两个子绕组对应的邻接磁场方向相反，以实现多个子绕组间电磁力自平衡，降低充磁绕组的机械应力，保证充磁装置的充磁能力。本发明降低充磁绕组的机械应力且避免了多工步充磁工序潜在的退磁风险。
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