公开(公告)号：CN103777157A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410017877.1

申请日：2014-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  缪向水 ,  唐伟捷 ,  洪玮 ,  关夏威 ,  刘辉

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明提供了一种垂直磁各向异性磁性隧道结单元测试系统，包括探针测量平台，探针测量平台的两个探针前端分别加在MTJ单元的上下电极，两个探针的后端分别连接电源测量模块的高低电平输出端口；带铁芯绕组线圈固定在MTJ单元的空间正上方，绕组线圈电源的正负极接带铁芯绕组线圈的两端；计算机测试平台控制绕组线圈电源向带铁芯绕组线圈提供不同的电压，并控制电源测量模块产生电压激励信号以获取电流响应信号，根据电压激励信号和电流响应信号得到MTJ单元的电阻值；从而得到感应磁场强度与MTJ单元的电阻值之间的关系曲线。本发明测试系统可方便地对MTJ单元进行测试，大大缩短测量时间，节约测试成本，提高测试过程的便利性。

公开(公告)号：CN102789786A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210245272.9

申请日：2012-07-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  刘临利 ,  缪向水 ,  刘辉 ,  洪玮 ,  关夏威

IPC: G11B5/851 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构及其制备方法。材料依次包括基片，CoPt磁性层，Ta保护层，其中，CoPt的厚度为10nm～100nm，Ta保护层的厚度为1nm～20nm。Ta用于CoPt垂直磁化膜的保护层，作用在于：①Ta元素在溅射沉积及退火中，向CoPt层扩散并向CoPt晶界偏聚，使晶界区成为非磁性区域，改变CoPt磁化反转机制，提高薄膜介质矫顽力。②在热处理过程中，Ta原子向CoPt磁性层扩散，减弱了相邻磁性颗粒间的交换耦合作用，减小介质翻转的噪声，提高了记录位密度。

公开(公告)号：CN102789786B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210245272.9

申请日：2012-07-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  刘临利 ,  缪向水 ,  刘辉 ,  洪玮 ,  关夏威

IPC: G11B5/851 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明公开了一种CoPt/Ta垂直磁化膜的双层结构及其制备方法。材料依次包括基片，CoPt磁性层，Ta保护层，其中，CoPt的厚度为10nm～100nm，Ta保护层的厚度为1nm～20nm。Ta用于CoPt垂直磁化膜的保护层，作用在于：①Ta元素在溅射沉积及退火中，向CoPt层扩散并向CoPt晶界偏聚，使晶界区成为非磁性区域，改变CoPt磁化反转机制，提高薄膜介质矫顽力。②在热处理过程中，Ta原子向CoPt磁性层扩散，减弱了相邻磁性颗粒间的交换耦合作用，减小介质翻转的噪声，提高了记录位密度。

公开(公告)号：CN103777157B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410017877.1

申请日：2014-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 程晓敏 ,  缪向水 ,  唐伟捷 ,  洪玮 ,  关夏威 ,  刘辉

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明提供了一种垂直磁各向异性磁性隧道结单元测试系统，包括探针测量平台，探针测量平台的两个探针前端分别加在MTJ单元的上下电极，两个探针的后端分别连接电源测量模块的高低电平输出端口；带铁芯绕组线圈固定在MTJ单元的空间正上方，绕组线圈电源的正负极接带铁芯绕组线圈的两端；计算机测试平台控制绕组线圈电源向带铁芯绕组线圈提供不同的电压，并控制电源测量模块产生电压激励信号以获取电流响应信号，根据电压激励信号和电流响应信号得到MTJ单元的电阻值；从而得到感应磁场强度与MTJ单元的电阻值之间的关系曲线。本发明测试系统可方便地对MTJ单元进行测试，大大缩短测量时间，节约测试成本，提高测试过程的便利性。