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公开(公告)号:CN108282951A
公开(公告)日:2018-07-13
申请号:CN201711463241.X
申请日:2017-12-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种束流引出装置、参数获取方法及回旋加速器,装置包括:散射器和静电偏转板;散射器用于使得品质不好的束流发生散射并有效通过静电偏转板间隙,静电偏转板用于将散射后的束流引出;参数获取方法包括:建立两组模型,通过模拟计算,获取使得总的束流损失量最小时散射器沿束流方向的长度L及散射器与束流切割板前端的距离S的取值;回旋加速器的束流引出装置包括:散射器和静电偏转板;并且回旋加速器的束流引出装置中散射器沿束流方向的长度L及散射器与束流切割板前端的距离S的取值以设置为最优值。本发明可有效降低回旋加速器的束流引出损失,并使得束流引出损失的降低效果最大化。
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公开(公告)号:CN117082715B
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202310839484.8
申请日:2023-07-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种介质加载型谐振腔和对应的束流强度测量装置,属于束流测量技术领域,介质加载型谐振腔包括:腔体外壳、同轴内导体和介质盘;其中,中空的同轴内导体,设置于腔体外壳的内部且与腔体外壳同轴,用于作为等效电感;介质盘,填充设置于腔体外壳和同轴内导体之间,用于作为等效电容;当同轴内导体的中空部通入束团时,在等效电容与等效电感构成的谐振回路作用下激励起谐振场;通过改变介质盘的厚度和/或同轴内导体的长度能够调节谐振回路对应的谐振频率。本方案通过改变介质盘的厚度和/或同轴内导体的长度调节谐振频率,进而使腔体小型化,由此解决当束流频率在百MHz级别时现有圆柱腔尺寸过大的技术问题。
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公开(公告)号:CN118857191A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410845478.8
申请日:2024-06-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微波电子枪中场致发射电子生成位姿的获取方法,属于电子元器件技术领域,所述定位方法包括:测量场致发射电子在荧光屏上的目标实际位姿;所述场致发射电子在微波电子枪内部生成和出射,并经预设磁场路径聚焦投射到所述荧光屏上;建立在所述微波电子枪内生成场致发射电子的初始可能位姿与到达所述荧光屏时的目标参考位姿之间映射关系;利用所述场致发射电子的每个所述初始可能位姿和所述映射关系,得到每个所述场致发射电子到达所述荧光屏时的目标参考位姿;从多个所述初始可能位姿中选出最准确地所述场致发射电子的生成位姿,可精确地确定场致发射电流在微波电子枪内生成时的具体位置和出射相位。
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公开(公告)号:CN107846770B
公开(公告)日:2019-11-22
申请号:CN201711040332.2
申请日:2017-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种回旋加速器的束流轴向轨道调节装置;包括:第一静电偏转装置和第二静电偏转装置,第一静电偏转装置和第二静电偏转装置结构相同,均包括关于回旋加速器中心平面上、下对称设置的上极板和下极板;第一静电偏转装置的上极板设置在回旋加速器中第一峰区磁极的上表面,第一静电偏转装置的下极板设置在回旋加速器中第一峰区磁极的下表面;第二静电偏转装置的上极板设置在回旋加速器中第三峰区磁极的上表面,第二静电偏转装置的下极板设置在回旋加速器中第三峰区磁极的下表面。本发明可以独立调节第一静电偏转装置和第二静电偏转装置的上、下电极板之间的电压差,对粒子束进行轴向轨道调节,使偏离中心平面运动的束流回到中心平面。
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公开(公告)号:CN107860303B
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201710958228.5
申请日:2017-10-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01B7/04
Abstract: 本发明公开了一种束团长度诊断方法及装置。目前针对亚皮秒量级电子束,广泛采用圆柱形或多腔结构。相较之下,本发明通过采用矩形单偏转腔工作在TM120模式或TE102模式,通过中心轴线上的水平磁场对电子束产生竖直方向偏转作用。因腔体截面自身的非轴对称性,在保证长宽比非1时可以自然实现模式分离,无需额外引入非对称结构,使得腔体设计过程大为简化。并且单腔TM120模式或TE102模式下的谐振频率与腔体纵向尺寸无关,可以放弃多腔结构下的π相移模式,针对横、纵向尺寸分别优化,得到更加紧凑的结构。本发明经过三维电磁计算和束流跟踪验证,概念新颖,设计可靠,对以自由电子激光应用为代表的超快电子束诊断有重要意义。
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公开(公告)号:CN107864546A
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201711044570.0
申请日:2017-10-31
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H05H7/001 , H05H13/005 , H05H2007/004
Abstract: 本发明公开了一种回旋加速器的束流强度稳定调制装置,包括:第一静电偏转装置、第二静电偏转装置和垂直限流狭缝;第一静电偏转装置和第二静电偏转装置结构相同,均包括:关于回旋加速器中心平面上下对称的上下极板;垂直限流狭缝包括:一对L型截面且关于中心平面上下对称的板;第一、第二静电偏转装置和垂直限流狭缝分别安装于回旋加速器中三个峰区磁极的上、下表面;第一、第二静电偏转装置的组合作用使束流产生垂直轨道突起;垂直限流狭缝用于拦截垂直偏转较大的束流;通过改变束流垂直突轨大小,调节刮束比例实现束流强度调节。本发明,通过将刮束后的束流矫正回中心平面,抑制束流垂直运动不稳定性,从而实现引出束流强度稳定调节。
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公开(公告)号:CN107846771A
公开(公告)日:2018-03-27
申请号:CN201711041687.3
申请日:2017-10-31
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H05H7/001 , A61N5/10 , A61N5/103 , A61N5/1048 , H05H2007/002
Abstract: 本发明公开了一种调节旋转机架等中心点束斑大小的方法及系统。本发明方法中束流首先经由加速器(回旋或者同步加速器方式)产生和输运线束流匹配传输,获取旋转机架入口处的束流参数,如束斑大小,发射度等。根据临床要求的旋转机架等中心点束斑大小调节参数,在不改变输运线端在旋转机架入口处的匹配束流参数和保证输运线端磁铁参数不变的情况下,可通过传输矩阵方法匹配不同大小的镜像比例,动态地调节等中心点处的束斑大小。本发明建立在束流光学和束流传输矩阵理论基础上,设计方法可靠,实现方案对工程实现要求小,对于保持质子治疗过程中束流稳定具有重要意义。
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公开(公告)号:CN107768218A
公开(公告)日:2018-03-06
申请号:CN201710857959.0
申请日:2017-09-15
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01J29/48 , H01J2229/4803 , H05H7/00
Abstract: 本发明公开了一种低能强流栅控电子枪,包括:发射体、聚焦电极、中间电极和阳极,其中,发射体和聚焦电极外接同一个负高压电源,中间电极外接正高压电源,中间电极的正高压与发射体的负高压形成加速电场,阳极接地,阳极零电位与中间电极的正高压形成减速电场,发射体使用阴栅组件发射电子束流,并使用聚焦电极聚焦电子束流,同时经过加速电场加速电子束流;最后经过减速电场减速电子束流,利用CST粒子跟踪和PIC算法修正电极的形状以及电极之间的距离。本发明控制束流流强并保持低的束流能散,有着低能、高导流系数、大压缩比、使用寿命长等优点,有较高的实用价值和广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN117517747A
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202311309653.3
申请日:2023-10-10
Applicant: 华中科技大学 , 国家电网有限公司 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网江西省电力有限公司供电服务管理中心
Abstract: 本发明公开了一种基于磁元件的量子化电流横向发射度校正方法及系统。该方法包括:通过所述电流量子化过程中的电子束能量以及由含有两对极头的磁元件所具有的固有属性和通电电流决定的磁场梯度来确定磁元件的聚焦强度;通过改变所述电流量子化传输途径中磁元件中所通过的电流进而改变聚焦强度,获得不同聚焦强度下的束斑图像和尺寸信息;考虑不同因素对电流量子化过程中的电子束横向尺寸造成的影响,将所述不同聚焦强度下的束斑尺寸进行抛物线拟合,求解得到电流量子化过程中的电子束横向发射度参数;将所述测量得到的量子化电流的横向发射度和所述参考量子化电流的横向发射度进行比较,根据比较结果来校正所述待测量子化电流的横向发射度。
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公开(公告)号:CN117065231A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202310940704.6
申请日:2023-07-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: A61N5/10
Abstract: 本发明属于放疗束流调控领域,具体涉及一种用于高能电子放疗的剂量优化装置,包括:间隔设置的散焦磁透镜组和聚焦磁透镜组;散焦磁透镜组使得束流在x、y两个横向方向上呈散焦效果,用于将原始准直高能电子束进行扩展;扩展后的电子束经过位于两个磁透镜组之间的漂移段进一步扩展并到达聚焦磁透镜组,聚焦磁透镜组使得束流在x、y两个横向方向上呈现相互对称的聚焦效果,用于将经漂移段扩展后的电子束聚焦于目标上;其中,散焦磁透镜组的结构参数以及位于两个磁透镜组之间的漂移段的长度,使得经过两次扩展后到达所述聚焦磁透镜组的电子束直径D小于聚焦磁透镜组的电子束入射窗口。本发明能够避免高能电子束在入射路径上产生准均匀的剂量分布。
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