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公开(公告)号：CN116259667A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310002483.8
申请日：2023-01-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/786 , G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/66
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管气体传感器及其制备方法，属于气体传感器领域。采用底栅结构晶体管，沟道有源层采用双层薄膜异质复合结构，上层为气体敏感层，表面具有对气体分子的吸附和反应活性，下层为一维或二维半导体传输层，具有较高的迁移率。气体敏感层气固界面的电荷转移对沟道异质结界面能带结构具有调控作用，引起沟道导电能力改变并转换为晶体管输出特性改变，结合栅极电压的控制提取传感器气敏响应的多个特征参数，有助于提高选择性。本发明还提供了气体传感器制备方法，可制造性优良。
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