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公开(公告)号：CN117849565B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311720609.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。
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公开(公告)号：CN116581810B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202211153193.5
申请日：2022-09-21
Applicant: 华中科技大学 , 南方电网科学研究院有限责任公司
IPC: H02J3/38 , H02J3/24 , H02J3/16 , H02M7/5387
Abstract: 本申请公开了一种提高下垂控制构网型并网逆变器暂态稳定性的控制方法及并网逆变器。该并网逆变器包含功率主电路、控制器；LC输出滤波器通过公共耦合点PCC点与电网耦接；控制器由级联的下垂控制器和输出电压控制器组成；下垂控制器包含反馈回路，用于将输出电压幅值与参考V0的差值按Kf的比例系数反馈至无功功率参考Q0端，通过计算得到输出电压控制器幅值指令V。通过V计算得到输出电压控制器dq坐标系下的指令值vod_ref和voq_ref；输出电压控制器，用于对输出电压进行闭环处理，使其能跟踪指令值，从而输出dq坐标系下的调制波信号vmod_dq并进行反坐标变换得到调制波信号vmod_abc，并经脉冲宽度调制。实施本申请实施例，可以提高系统的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN117350223B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311185660.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/373 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/00 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。
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公开(公告)号：CN117849566A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311720624.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于故障检测技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统，包括：S1：提取开通脉冲和关断脉冲；S2：提取实际内部栅极状态信号；S3：检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性；S4：对信号进行低通滤波；S5：锁存故障信号；S6：生成最终驱动信号。本发明结构简单、成本低，只需要通用运算放大器、二极管、逻辑器件等成本低廉的元器件，无需高性能的微控制器，大大降低了总体成本。本发明设计步骤简单、使用方便、原理巧妙，设计过程简单，无需复杂的电路参数设计过程。本发明检测速度快，由于使用的都是模拟电路器件和逻辑电路器件，无需微控制器等复杂的检测或控制单元，所以检测速度很快。
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公开(公告)号：CN117182225A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171272.3
申请日：2023-09-11
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: B23K1/00 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/19 , B23K103/00
Abstract: 本发明属于石墨活性钎焊技术领域，尤其涉及一种焊接石墨的铜框架活性钎焊的焊接方法及系统，包括以下步骤：S1，将铜箔经过酸、丙酮、乙醇清洗后，在铜箔两侧均匀附着一层极薄的含有活性元素锡基钎料并迅速烘干；S2，将两侧附着活性元素的铜箔两面贴合石墨，依次将石墨母材、铜箔摆放至所需厚度后固定并放入真空钎焊炉中；S3，抽真空低至10‑3Pa时，开始随炉升温，在200‑350℃时，保温10‑30min后进行排胶，将炉升温至钎焊连接温度900‑1050℃后，保温10‑30min并施加500‑1500kg压力，冷却后即可得到石墨块材。本发明采用铜为钎焊焊料的框架，制备的钎焊石墨可实现较好的钎焊连接，接头无裂纹、气孔等缺陷，具有节省焊料，生产效率高，制备过程简单等优点。
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公开(公告)号：CN117849565A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311720609.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。
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公开(公告)号：CN117855162B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202311729662.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明属于散热结构技术领域，公开了一种带有二次流道的波浪形SiC器件直接液冷散热结构，包括：基板、翅片结构、下冷板、功率半导体模块；基板上方与功率半导体模块焊接，翅片结构位于基板下方，下冷板与基板密封连接。本发明着重于散热结构的创新，在保证简单、高效、易加工的商业应用前提下以更低的泵送功率实现液冷换热性能的提升。本发明的翅片结构沿流动方向呈波浪形形式，并采用交错不连续的布置方式引入二次流动通道，促进主流道间流动工质的流动混合，在翅片之间形成迪恩涡破坏流动边界层，进而提高换热效率。相对于传统散热结构，本发明在增强流体内部扰动的同时并未显著增加流体的压降损耗，能够在整个流动区域内保持较高的换热系数。
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公开(公告)号：CN117855162A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311729662.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明属于散热结构技术领域，公开了一种带有二次流道的波浪形SiC器件直接液冷散热结构，包括：基板、翅片结构、下冷板、功率半导体模块；基板上方与功率半导体模块焊接，翅片结构位于基板下方，下冷板与基板密封连接。本发明着重于散热结构的创新，在保证简单、高效、易加工的商业应用前提下以更低的泵送功率实现液冷换热性能的提升。本发明的翅片结构沿流动方向呈波浪形形式，并采用交错不连续的布置方式引入二次流动通道，促进主流道间流动工质的流动混合，在翅片之间形成迪恩涡破坏流动边界层，进而提高换热效率。相对于传统散热结构，本发明在增强流体内部扰动的同时并未显著增加流体的压降损耗，能够在整个流动区域内保持较高的换热系数。
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公开(公告)号：CN117350223A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311185660.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/373 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/00 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。
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公开(公告)号：CN117350215A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311180307.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , H02M7/219 , H02M1/088 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种单桥臂模块化多电平换流器的解析仿真模型和方法，属于电力系统电磁暂态实时解析仿真技术领域，所述解析仿真模型包括：单桥臂模块化多电平换流器等效电路、平均值模型和调制与均压控制模块；通过平均值模型将单桥臂模块化多电平换流器转化为了每相具有两个桥臂的等效电路；每个电压源的输出通过平均值模型计算得到，也即将由大量电子元件组成的桥臂模型转化为了一个由函数控制的可控电压源，提升了仿真的速度，使仿真模型可用于均压控制、损耗计算以及谐波分析等研究，由此解决现有的单桥臂模块化多电平换流器的仿真模型的解析仿真效率低且应用范围有限的技术问题。
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