一种多波形磁场发生装置及控制方法

    公开(公告)号:CN116707494A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310927715.0

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种多波形磁场发生装置及控制方法,属于低强度脉冲功率领域。本发明采用调压电路及桥式电路两级联合闭环调控的方式,实现多参数可调、陡上升沿、高稳定度的磁场。首先利用调压电路,实现可控高压,使其输出电压根据不同目标磁场幅值同步变化,保证脉冲磁场的快速上升,且最小化上升阶段与平顶阶段磁体所需要的压差,降低闭环控制的难度;运用桥式电路实现输出磁场波形的灵活性。其次,采用混合控制器,在磁场上升阶段利用滞回控制器的最优瞬态特性,在平顶阶段则运用PI控制器的强跟踪能力,保证了磁场平顶期间的稳定性。此外,本发明通过提供合适的续流回路消除了磁体寄生电容的影响。

    一种多波形磁场发生装置及控制方法

    公开(公告)号:CN116707494B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310927715.0

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种多波形磁场发生装置及控制方法,属于低强度脉冲功率领域。本发明采用调压电路及桥式电路两级联合闭环调控的方式,实现多参数可调、陡上升沿、高稳定度的磁场。首先利用调压电路,实现可控高压,使其输出电压根据不同目标磁场幅值同步变化,保证脉冲磁场的快速上升,且最小化上升阶段与平顶阶段磁体所需要的压差,降低闭环控制的难度;运用桥式电路实现输出磁场波形的灵活性。其次,采用混合控制器,在磁场上升阶段利用滞回控制器的最优瞬态特性,在平顶阶段则运用PI控制器的强跟踪能力,保证了磁场平顶期间的稳定性。此外,本发明通过提供合适的续流回路消除了磁体寄生电容的影响。

    一种对体外培养的卵母细胞施加电磁脉冲的方法

    公开(公告)号:CN118910035A

    公开(公告)日:2024-11-08

    申请号:CN202410730235.X

    申请日:2024-06-06

    Abstract: 本申请属于电磁生物学领域,具体公开了一种对体外培养的卵母细胞施加电磁脉冲的方法。所述方法包括对生发泡期的所述卵母细胞施加频率为1~100Hz,强度为1~10mT,时间为5~20min的电磁脉冲。本申请首次将脉冲磁场应用于卵母细胞,建立了卵母细胞成熟和发育能力改善的新方式,其能显著提高卵母细胞的成熟和发育能力,进而改善着卵泡的正常发育,总体上改善了卵巢储备功能下降的问题;此外,本申请使用电磁场这一物理疗法,是一种非侵入性技术,大大增加了其应用的安全性和有效性。

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