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公开(公告)号：CN114564743A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210152391.3
申请日：2022-02-18
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种应用于运动想象脑机接口系统的隐私保护迁移学习方法，属于脑机接口、机器学习领域。方法包括，将多个源模型封装为API；将目标域数据送入API，获得每个目标域样本在各源域模型上的类别预测概率，基于不同源域模型的类别预测概率量化多个源域模型在每个目标样本上预测结果的分歧，选择分歧小于设定阈值的样本及其标签构建虚拟中间域；在虚拟中间域上训练分类器，实现目标用户运动想象类别预测。本发明通过生成多个源域模型的API接口，新用户仅可查询个人数据的预测，保护了源域用户的隐私；本发明通过构建虚拟中间域桥接新用户和老用户的数据分布，减轻了边际分布差异，简单易实现，提升了运动想象识别精度。
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公开(公告)号：CN114141999A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111249638.5
申请日：2021-10-26
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及耐高温高电压复合钴酸锂正极材料，复合钴酸锂正极材料具有多层结构，由内至外依次为:金属元素掺杂的颗粒内核、界面过渡层和非晶磷酸盐包覆层。制备方法，由Co的水溶液、Ma的水溶液、碳酸盐溶液进行共沉淀反应，得到Ma元素掺杂的碳酸钴；将Ma元素掺杂的碳酸钴与Ma的化合物进行球磨，并煅烧，得到Ma元素掺杂的四氧化三钴的前驱体；将Ma元素掺杂的四氧化三钴的前驱体与锂源混合，并煅烧，得到具有Ma元素掺杂的钴酸锂材料；将具有Ma元素掺杂的钴酸锂材料、磷酸盐、无水乙醇进行球磨，并煅烧，得到耐高温高电压钴酸锂正极材料。界面过渡层可加强包覆层与内核的连接，提高界面的晶格稳定性。
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公开(公告)号：CN113860387A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110950012.0
申请日：2021-08-18
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C01G51/00 , H01M4/525 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及高电压钴酸锂正极材料：化学式为：Li1‑yNyCo1‑xMxO2；元素M取代钴酸锂的钴离子层中的一钴离子；元素N取代钴酸锂的锂离子层中的一锂离子；M和N均为金属元素，选取至少两种不同的M源对应的混合盐溶液，与钴盐溶液混合，加入碳酸盐溶液，进行共沉淀反应；沉淀分离，煅烧，得到多元素掺杂的四氧化三钴的前驱体；将前驱体与N源混合，球磨；将所得产物与锂源混合均匀，煅烧，得到高电压钴酸锂正极材料。抑制不可逆相变的产生，缓解钴酸锂在高脱锂态下晶体结构畸变导致的宏观微裂纹产生，抑制高压下晶格氧的释放，提高锂离子扩散速率，同时外表层可阻隔材料与电解液的界面副反应，在高电压条件下具有良好的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN118048204A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410041837.4
申请日：2024-01-11
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C11D1/66 , C11D1/72 , C11D3/32 , C11D3/30 , C11D3/20 , C11D3/22 , C11D3/04 , C11D3/60 , H01L21/321
摘要： 本发明属于集成电路制造技术领域，涉及一种用于铜表面化学机械平坦化后清洗的晶圆清洗液。所述晶圆清洗液为碱性水溶液，包括有机胺螯合剂、糖类螯合剂和非离子型表面活性剂；所述晶圆清洗液利用不含金属离子的碱调节pH至碱性。本发明糖类螯合剂与有机胺之间协同作用，可提高铜的螯合效率，防止铜的再沉积。本发明糖类螯合剂可与CuO螯合，提高CuO溶解性，并有效地钝化铜表面，抑制铜的腐蚀。本发明不使用无机碱，减少金属离子的引入导致的二次污染。本发明的清洗液具有无毒、环保等优势，能够有效去除晶圆表面的苯并三氮唑等有机残留物，同时又能对金属进行钝化，提高了CMP工艺的良率。
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公开(公告)号：CN113860387B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110950012.0
申请日：2021-08-18
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01M4/525 , C01G51/00 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及高电压钴酸锂正极材料：化学式为：Li1‑yNyCo1‑xMxO2；元素M取代钴酸锂的钴离子层中的一钴离子；元素N取代钴酸锂的锂离子层中的一锂离子；M和N均为金属元素，选取至少两种不同的M源对应的混合盐溶液，与钴盐溶液混合，加入碳酸盐溶液，进行共沉淀反应；沉淀分离，煅烧，得到多元素掺杂的四氧化三钴的前驱体；将前驱体与N源混合，球磨；将所得产物与锂源混合均匀，煅烧，得到高电压钴酸锂正极材料。抑制不可逆相变的产生，缓解钴酸锂在高脱锂态下晶体结构畸变导致的宏观微裂纹产生，抑制高压下晶格氧的释放，提高锂离子扩散速率，同时外表层可阻隔材料与电解液的界面副反应，在高电压条件下具有良好的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN114564743B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202210152391.3
申请日：2022-02-18
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G06F21/62 , G06N20/20 , G06F18/2415 , G06F18/213 , G06F18/214 , G06F3/01
摘要： 本发明公开了一种应用于运动想象脑机接口系统的隐私保护迁移学习方法，属于脑机接口、机器学习领域。方法包括，将多个源模型封装为API；将目标域数据送入API，获得每个目标域样本在各源域模型上的类别预测概率，基于不同源域模型的类别预测概率量化多个源域模型在每个目标样本上预测结果的分歧，选择分歧小于设定阈值的样本及其标签构建虚拟中间域；在虚拟中间域上训练分类器，实现目标用户运动想象类别预测。本发明通过生成多个源域模型的API接口，新用户仅可查询个人数据的预测，保护了源域用户的隐私；本发明通过构建虚拟中间域桥接新用户和老用户的数据分布，减轻了边际分布差异，简单易实现，提升了运动想象识别精度。
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