公开(公告)号：CN106935860A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710180237.6

申请日：2017-03-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 霍开富 ,  张家宝 ,  李庆伟

IPC: H01M4/62

Abstract: 本发明公开了一种碳插层V2O3纳米材料的制备方法和应用，包括以下步骤：(1)将五氧化二钒粉末加入有机胺液体中，搅拌混合均匀；(2)将混合液转移至反应釜进行水热反应；(3)将得到的杂化前驱体干燥后，放入炉子中，并通入惰性气体进行碳化，得到V2O3/C杂化纳米材料。本发明制备的V2O3/C杂化纳米材料形貌均一，并且碳层能有效的分散于材料内部纳米基质。该材料应用于锂离子电池和钠离子电池负极时，能极大地提高金属氧化物作电极材料时的倍率性能，提高电池的体积能量密度，具有较大的应用前景。

公开(公告)号：CN106935860B

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201710180237.6

申请日：2017-03-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 霍开富 ,  张家宝 ,  李庆伟

IPC: H01M4/62

Abstract: 本发明公开了一种碳插层V2O3纳米材料的制备方法和应用，包括以下步骤：(1)将五氧化二钒粉末加入有机胺液体中，搅拌混合均匀；(2)将混合液转移至反应釜进行水热反应；(3)将得到的杂化前驱体干燥后，放入炉子中，并通入惰性气体进行碳化，得到V2O3/C杂化纳米材料。本发明制备的V2O3/C杂化纳米材料形貌均一，并且碳层能有效的分散于材料内部纳米基质。该材料应用于锂离子电池和钠离子电池负极时，能极大地提高金属氧化物作电极材料时的倍率性能，提高电池的体积能量密度，具有较大的应用前景。