公开(公告)号：CN103439673B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201310313954.3

申请日：2013-07-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 韩俊波 ,  马宗伟 ,  张俊佩 ,  虞应 ,  杜桂焕 ,  李亮

IPC: G01R33/032

Abstract: 本发明公开了一种用稀土发光材料标定磁场强度的方法，包括：对稀土发光材料施加连续变化的已知磁场，得到其发光强度发生突变时对应的磁场强度值；用待测磁体对稀土发光材料施加强度变化的磁场，通过观测与待测磁体磁场强度呈线性关系的可观测量，得到其发光强度发生突变时对应的可观测量的值，将发生突变时待测磁体的磁场强度对应已知磁场作用下发生突变时的磁场强度；根据突变点的可观测量大小和磁场强度值，计算得到待测磁体磁场强度与可观测量的关系，完成对待测磁体磁场强度的标定。本方法对材料温度无特殊要求，且稀土发光材料发光强度在磁场作用下产生的突变易于观测，能有效降低磁场强度标定的成本，磁场标定精度可控，实用性强。

公开(公告)号：CN103409140B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201310322090.1

申请日：2013-07-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 韩俊波 ,  张俊佩 ,  马宗伟 ,  虞应 ,  杜桂焕 ,  李亮

IPC: G01N21/64 ,  C09K11/82

Abstract: 本发明公开了一种用磁场增强稀土发光材料发光效率的方法，包括以下步骤：S1：选取激发波长；S2：将样品放入磁体中，用步骤S1中选取的激发波长的光激发样品发光，在4.2～265K范围内调节样品温度使其恒定，使磁体的磁场强度连续变化，得到样品发光光强随磁场强度的变化关系；S3：得到样品的发光光强较未施加磁场情况下增加时对应的磁场强度范围R；以及S4：将样品放入磁场强度在R内的连续变化磁场或稳态磁场中，以增强稀土发光材料的发光效率。本发明的方法能效提高样品的发光效率，可重复性好，在发光器件特别是激光晶体中有很重要的实用价值。

公开(公告)号：CN103439673A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310313954.3

申请日：2013-07-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 韩俊波 ,  马宗伟 ,  张俊佩 ,  虞应 ,  杜桂焕 ,  李亮

IPC: G01R33/032

Abstract: 本发明公开了一种用稀土发光材料标定磁场强度的方法，包括：对稀土发光材料施加连续变化的已知磁场，得到其发光强度发生突变时对应的磁场强度值；用待测磁体对稀土发光材料施加强度变化的磁场，通过观测与待测磁体磁场强度呈线性关系的可观测量，得到其发光强度发生突变时对应的可观测量的值，将发生突变时待测磁体的磁场强度对应已知磁场作用下发生突变时的磁场强度；根据突变点的可观测量大小和磁场强度值，计算得到待测磁体磁场强度与可观测量的关系，完成对待测磁体磁场强度的标定。本方法对材料温度无特殊要求，且稀土发光材料发光强度在磁场作用下产生的突变易于观测，能有效降低磁场强度标定的成本，磁场标定精度可控，实用性强。

公开(公告)号：CN103409140A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310322090.1

申请日：2013-07-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 韩俊波 ,  张俊佩 ,  马宗伟 ,  虞应 ,  杜桂焕 ,  李亮

IPC: C09K11/82 ,  G01N21/64

Abstract: 本发明公开了一种用磁场增强稀土发光材料发光效率的方法，包括以下步骤：S1：选取激发波长；S2：将样品放入磁体中，用步骤S1中选取的激发波长的光激发样品发光，在4.2～265K范围内调节样品温度使其恒定，使磁体的磁场强度连续变化，得到样品发光光强随磁场强度的变化关系；S3：得到样品的发光光强较未施加磁场情况下增加时对应的磁场强度范围R；以及S4：将样品放入磁场强度在R内的连续变化磁场或稳态磁场中，以增强稀土发光材料的发光效率。本发明的方法能效提高样品的发光效率，可重复性好，在发光器件特别是激光晶体中有很重要的实用价值。