公开(公告)号：CN110987224B

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201911238153.9

申请日：2019-12-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘文中 ,  张亚鹏

IPC: G01K7/36

Abstract: 本发明公开了一种基于低场磁共振T2弛豫的磁纳米粒子温度计算方法，属于磁纳米材料测试技术领域。本发明将可以作为T2造影剂的磁纳米粒子作为温度到磁场转换的媒介，进而建立T2弛豫时间的温度特性。磁纳米粒子具有良好的温度敏感性，可以使得得到T2弛豫时间与温度具有线性关系，通过测量T2弛豫时间反映出温度变化，实现高精度测温。本发明利用在不同温度下测量磁纳米粒子的M‑H磁化曲线，求取磁纳米粒子感应磁化强度温度敏感性的磁场依赖性，并据此优选和低场磁共振仪主磁场适配的磁纳米粒子，最大化磁纳米粒子感应磁化强度的温度敏感性，实现高精度测温。

公开(公告)号：CN110987224A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911238153.9

申请日：2019-12-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘文中 ,  张亚鹏

IPC: G01K7/36

Abstract: 本发明公开了一种基于低场磁共振T2弛豫的磁纳米粒子温度计算方法，属于磁纳米材料测试技术领域。本发明将可以作为T2造影剂的磁纳米粒子作为温度到磁场转换的媒介，进而建立T2弛豫时间的温度特性。磁纳米粒子具有良好的温度敏感性，可以使得得到T2弛豫时间与温度具有线性关系，通过测量T2弛豫时间反映出温度变化，实现高精度测温。本发明利用在不同温度下测量磁纳米粒子的M-H磁化曲线，求取磁纳米粒子感应磁化强度温度敏感性的磁场依赖性，并据此优选和低场磁共振仪主磁场适配的磁纳米粒子，最大化磁纳米粒子感应磁化强度的温度敏感性，实现高精度测温。