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公开(公告)号:CN110211614A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910511022.7
申请日:2019-06-13
Abstract: 本发明属于数字电路技术领域,公开了一种基于磁性斯格明子的锁存器与触发器及控制方法,基于磁性斯格明子的锁存器为重金属HM层和铁磁FM层的双层结构,铁磁层中预置磁性斯格明子,使能端E上不施加电压E=0时,通过对输入端D施加电压,控制磁性斯格明子在铁磁层中的位置,在使能端E上施加电压E=1时,磁性斯格明子在铁磁层中的位置不随输入端D的状态变化;在本发明中,由两个基于磁性斯格明子的锁存器进行级联构成触发器。本发明大大减小了锁存器所占面积,有利于简化电路设计,可用于更高密度的时序逻辑电路;本发明磁存储具有非易失性,大大降低了锁存器和触发器的静态功耗。
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公开(公告)号:CN114182283B
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202111432741.3
申请日:2021-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C25B11/065 , C25B11/075 , C25B11/054 , C25B1/30
Abstract: 本发明涉及一种负载型贵金属化合物及其制备和应用,属于电合成技术领域。制备方法为将贵金属盐和碳载体分散至水中,然后加热使溶剂蒸干,从而使贵金属盐吸附在碳载体上,得到固体粉末前驱体;将固体粉末前驱体在还原性气氛中加热,使贵金属盐被还原得到贵金属单质,得到中间产物;将中间产物与硫属非金属单质升华后的气体在还原性气氛中进行反应,或者直接置于含氧气氛中反应,反应的温度均为250℃‑450℃,得到碳负载型贵金属化合物。本发明得到的催化剂表现出优异的电合成双氧水选择性和稳定性,且制备工艺简单,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN108762722A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810337690.8
申请日:2018-04-16
IPC: G06F7/58
CPC classification number: G06F7/588
Abstract: 本发明公开一种基于正交磁性隧道结的真随机数发生器,呈多层磁性隧道结结构,包括自下至上呈多层塔状结构布置的电极层、磁性层、隧穿层;磁性层为铁磁材料,隧穿层为金属氧化物。位于上部的二层磁性层均具有面内的单轴的磁各向异性,位于下部的一层磁性层具有垂直于膜面方向的单轴磁各向异性,在写阶段,写电流施加在该真随机数发生器上,磁化方向变为垂直于膜面,处于暂稳态;在读阶段写电流停止,在各向异性场和退磁场的共同作用下,磁性层的磁化方向回到其各向异性轴的方向,热扰动情况下磁化方向即随机偏向任意一边,具体偏向以向各磁性层和隧穿层组成的磁性隧道结中施加读电流得到,从而稳定地产生真随机数。
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公开(公告)号:CN117497787A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202311424440.5
申请日:2023-10-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01M4/92 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于氢能与燃料电池技术领域,涉及一种贵金属纳米颗粒协同过渡金属单原子催化剂、制备与应用。制备方法为:将掺氮多孔碳材料与过渡金属盐分散在溶剂中,加热蒸干溶剂,得到过渡金属盐吸附中间体;然后将该过渡金属盐吸附中间体进行两次次退火,得到过渡金属单原子碳材料;将贵金属盐与过渡金属单原子碳材料分散在溶剂中,然后加热将溶剂蒸干,得到贵金属盐吸附中间体;将该贵金属盐吸附中间进行加热和合金化处理,得到本发明中的催化剂。本发明制备工艺操作简单,成本低廉;获得单原子,金属间化合物纳米颗粒复合的负载型贵金属纳米颗粒协同单原子催化剂,减少了贵金属载量,在降低成本的同时优化了催化剂活性与稳定性,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN114182283A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111432741.3
申请日:2021-11-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C25B11/065 , C25B11/075 , C25B11/054 , C25B1/30
Abstract: 本发明涉及一种负载型贵金属化合物及其制备和应用,属于电合成技术领域。制备方法为将贵金属盐和碳载体分散至水中,然后加热使溶剂蒸干,从而使贵金属盐吸附在碳载体上,得到固体粉末前驱体;将固体粉末前驱体在还原性气氛中加热,使贵金属盐被还原得到贵金属单质,得到中间产物;将中间产物与硫属非金属单质升华后的气体在还原性气氛中进行反应,或者直接置于含氧气氛中反应,反应的温度均为250℃‑450℃,得到碳负载型贵金属化合物。本发明得到的催化剂表现出优异的电合成双氧水选择性和稳定性,且制备工艺简单,适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN110211614B
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201910511022.7
申请日:2019-06-13
Abstract: 本发明属于数字电路技术领域,公开了一种基于磁性斯格明子的锁存器与触发器及控制方法,基于磁性斯格明子的锁存器为重金属HM层和铁磁FM层的双层结构,铁磁层中预置磁性斯格明子,使能端E上不施加电压E=0时,通过对输入端D施加电压,控制磁性斯格明子在铁磁层中的位置,在使能端E上施加电压E=1时,磁性斯格明子在铁磁层中的位置不随输入端D的状态变化;在本发明中,由两个基于磁性斯格明子的锁存器进行级联构成触发器。本发明大大减小了锁存器所占面积,有利于简化电路设计,可用于更高密度的时序逻辑电路;本发明磁存储具有非易失性,大大降低了锁存器和触发器的静态功耗。
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