公开(公告)号：CN102254792B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201110192027.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  尹周平 ,  彭波 ,  刘洵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种具有安全顶针的芯片剥离装置，可以用于FlipChip等IC封装工艺中芯片与粘晶膜的剥离。粘晶膜置于该套筒一端端面上，待剥离的芯片粘接在所述粘晶膜上；顶针设置在套筒内，用于在驱动装置驱动下顶起芯片以与粘晶膜剥离；调节机构设置在套筒内，用于夹持顶针，并调整顶针有效受压长度，以调整其欧拉临界载荷；其中顶针为一种安全顶针，能保护半导体芯片不受损伤，其具有预设屈曲特性，即达到预设的额定顶起力时，该顶针发生屈曲，所述额定顶起力的值介于芯片剥离力和芯片损伤力之间。本发明的芯片剥离装置可以与传统的芯片剥离、拾取工艺兼容，具有安全、高效率、剥离可靠性高的特点。

公开(公告)号：CN102353807A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110160100.7

申请日：2011-06-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  尹周平 ,  布宁斌 ,  刘洵

IPC: G01P5/18

Abstract: 本发明公开了一种电纺丝过程中射流螺旋段流速的测量方法，包括如下步骤：(1)在电纺丝射流螺旋段下方一定高度处的水平面上设置一匀速运动的基板，获得单根纤维的轨迹，并记录基板的运动速度大小V0；(2)对获得的轨迹进行测量，得到轨迹上最高点与最低点间的纵向距离l1和轨迹上任意两个最高点或两个最低点间的横向距离l0，进而计算出射流螺旋段的流速Vm；(3)调节基板为各种不同高度水平面，重复上述步骤(1)和步骤(2)，分别计算得到电纺丝过程中射流螺旋段在不同高度水平面处的流速大小，即可获得电纺丝流速在空间不同高度处的分布规律。本发明可实现电纺丝技术射流螺旋段不同高度处流速的测量，且测量时不受纤维形态的影响。

公开(公告)号：CN102254792A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110192027.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  尹周平 ,  彭波 ,  刘洵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种具有安全顶针的芯片剥离装置，可以用于FlipChip等IC封装工艺中芯片与粘晶膜的剥离。粘晶膜置于该套筒一端端面上，待剥离的芯片粘接在所述粘晶膜上；顶针设置在套筒内，用于在驱动装置驱动下顶起芯片以与粘晶膜剥离；调节机构设置在套筒内，用于夹持顶针，并调整顶针有效受压长度，以调整其欧拉临界载荷；其中顶针为一种安全顶针，能保护半导体芯片不受损伤，其具有预设屈曲特性，即达到预设的额定顶起力时，该顶针发生屈曲，所述额定顶起力的值介于芯片剥离力和芯片损伤力之间。本发明的芯片剥离装置可以与传统的芯片剥离、拾取工艺兼容，具有安全、高效率、剥离可靠性高的特点。

公开(公告)号：CN102353807B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201110160100.7

申请日：2011-06-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 黄永安 ,  尹周平 ,  布宁斌 ,  刘洵

IPC: G01P5/18

Abstract: 本发明公开了一种电纺丝过程中射流螺旋段流速的测量方法，包括如下步骤：(1)在电纺丝射流螺旋段下方一定高度处的水平面上设置一匀速运动的基板，获得单根纤维的轨迹，并记录基板的运动速度大小V0；(2)对获得的轨迹进行测量，得到轨迹上最高点与最低点间的纵向距离l1和轨迹上任意两个最高点或两个最低点间的横向距离l0，进而计算出射流螺旋段的流速Vm；(3)调节基板为各种不同高度水平面，重复上述步骤(1)和步骤(2)，分别计算得到电纺丝过程中射流螺旋段在不同高度水平面处的流速大小，即可获得电纺丝流速在空间不同高度处的分布规律。本发明可实现电纺丝技术射流螺旋段不同高度处流速的测量，且测量时不受纤维形态的影响。