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公开(公告)号：CN119629831A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411890200.9
申请日：2024-12-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明公开了一种场反等离子体动态形成装置及方法，属于等离子体技术领域。该装置包括对碰融合区和其两端的两个形成区；形成区包括真空腔室、主放电线圈、偏置线圈和电离线圈；主放电线圈绕制在真空腔室的外表面；偏置线圈绕制在主放电线圈的外侧；电离线圈与主放电线圈和偏置线圈垂直设置；偏置电路向多个偏置线圈中同时通入反向电流，偏置线圈在真空腔室内产生反向磁场；电离线圈形成旋转磁场，电离真空腔室内的气体，产生等离子体；主放电支路向主放电线圈内通入正向电流，主放电线圈产生轴向梯度正向磁场，动态形成场反等离子体，在对碰融合区发生对碰融合。实现提高电源工作的可靠性和稳定性，提高动态形成场反等离子体的重复性。
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