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公开(公告)号：CN112331769B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202011156234.7
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和两个金属电极；两个金属电极设置于半导体基体的同一表面且至少有一个金属电极位于半导体基体表面的边缘；向金属电极施加持续增大的电流，半导体基体内形成的局部非均匀电场的电场强度增强，局部碰撞电离的发生，产生等效的载流子注入效应，使器件形成负阻效应；器件置于磁场中，半导体基体内部载流子由于洛伦兹力作用发生非均匀性变化，呈现出非饱和磁阻效应，实现负阻效应和非饱和磁阻效应共存于器件。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可应用于发展新型多功能器件，比如具有高磁敏特性的脉冲发生器、新型多功能磁存储器件。
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公开(公告)号：CN112331769A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011156234.7
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了基于局部碰撞电离的负阻和非饱和磁阻效应共存的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和两个金属电极；两个金属电极设置于半导体基体的同一表面且至少有一个金属电极位于半导体基体表面的边缘；向金属电极施加持续增大的电流，半导体基体内形成的局部非均匀电场的电场强度增强，局部碰撞电离的发生，产生等效的载流子注入效应，使器件形成负阻效应；器件置于磁场中，半导体基体内部载流子由于洛伦兹力作用发生非均匀性变化，呈现出非饱和磁阻效应，实现负阻效应和非饱和磁阻效应共存于器件。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可应用于发展新型多功能器件，比如具有高磁敏特性的脉冲发生器、新型多功能磁存储器件。
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公开(公告)号：CN202075263U
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201120129646.1
申请日：2011-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01N27/403 , G01N27/30
Abstract: 本实用新型针对现有铅粉性能检测方法的局限性，提供了一种基于超微电极的铅粉电化学性能检测装置，大大提高了检测效率。该装置包括对电极、参比电极、工作电极和电解槽，电解槽内注有电解液，对电极、参比电极和工作电极的一端均插入电解槽，工作电极是μm级尺度的微孔电极，其内填充有铅粉作为活性物质。该装置可获得低成本下的高效率电化学检测信息，信号响应快，灵敏度高，检测限低。通过该装置可直接获得铅粉的容量性能、循环性能等信息，有可能代替现有制作成品电池的铅粉电化学性能检测装置。
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