公开(公告)号：CN110400875B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201810379725.4

申请日：2018-04-25

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 杨宇翔 ,  倪超英 ,  黄艳 ,  韩晓宇 ,  殷红霞

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种基于TiO2纳米管钙钛矿电池电极的制备方法，其特征是采用旋涂法将一定量Zn(Ac)2晶种溶液分两至四次旋涂至镀有TiO2致密层的FTO导电玻璃表面，400℃分解产生ZnO晶种。利用晶种密度产生的空间位阻效应，抑制纳米线斜向增强，通过常压碱热沉积法生长垂直排列的ZnO纳米线，并用(NH4)2TiF6与ZnO纳米线同晶置换，制备介孔TiO2纳米管阵列。以碘化甲基胺为原料用两步法制备CH3NH3PbI3钙钛矿光敏层，通过提高掺杂锂量，制备具有较高迁移率的固态空穴传输膜，表面镀金膜，形成对电极。其光电转换效率为11.8％，为实际部署高效率大面积的钙钛矿太阳能电池提供了基础。

公开(公告)号：CN110400875A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201810379725.4

申请日：2018-04-25

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 杨宇翔 ,  倪超英 ,  黄艳 ,  韩晓宇 ,  殷红霞

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明涉及一种基于TiO2纳米管钙钛矿电池电极的制备方法，其特征是采用旋涂法将一定量Zn(Ac)2晶种溶液分两至四次旋涂至镀有TiO2致密层的FTO导电玻璃表面，400℃分解产生ZnO晶种。利用晶种密度产生的空间位阻效应，抑制纳米线斜向增强，通过常压碱热沉积法生长垂直排列的ZnO纳米线，并用(NH4)2TiF6与ZnO纳米线同晶置换，制备介孔TiO2纳米管阵列。以碘化甲基胺为原料用两步法制备CH3NH3PbI3钙钛矿光敏层，通过提高掺杂锂量，制备具有较高迁移率的固态空穴传输膜，表面镀金膜，形成对电极。其光电转换效率为11.8％，为实际部署高效率大面积的钙钛矿太阳能电池提供了基础。