公开(公告)号：CN120015517A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510048615.X

申请日：2025-01-13

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 陈睿康 ,  田鹏飞 ,  轩福贞 ,  徐晶 ,  洪天骄 ,  何珠梅 ,  王艺霏

IPC: H01G4/06 ,  C08J5/18 ,  C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K3/36

Abstract: 本发明涉及储能材料技术领域，具体涉及一种M@SiO2/PVDF复合介电薄膜及其制备方法，包括以正硅酸乙酯、三水合硝酸铜或硝酸银、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、十六烷基三甲基溴化铵为原料，采用改进的#imgabs0#法制备Cu@SiO2核壳结构填料；将PVDF溶于二甲基甲酰胺中，加入制备好的M@SiO2核壳结构填料，采用溶液流延法制备M@SiO2/PVDF复合介电薄膜，M为Cu或Ag。与现有技术相比，本发明通过自制复合填料将金属粒子包覆到SiO2内部，可以有效避免金属粒子发生团聚或金属粒子与PVDF薄膜界面不相容导致的高介电损耗现象，金属优异的导电性能也使得复合材料具有较高的介电常数。