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公开(公告)号：CN111032912B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201880049672.8
申请日：2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。
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公开(公告)号：CN112272851A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201980039267.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料，其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂，相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份，前述薄片状银粉的含量为15~70质量份，前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。
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公开(公告)号：CN113168931A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080006006.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供将电子基板等接合时的接合强度优异的导电性糊料、层叠体及Cu基板或Cu电极与导电体的接合方法。导电性糊料，其特征在于包含：片状银粉A，其粒径在1μm以上且15μm以下的范围内，并且具有2μm以上且5μm以下的中值直径D50；银粉B，其粒径在25μm以上且100μm以下的范围内，并且具有30μm以上且40μm以下的中值直径D50；银粉C，其粒径在10nm以上且190nm以下的范围内，并且具有50nm以上且150nm以下的中值直径D50；以及溶剂；相对于所述片状银粉A、所述银粉B及银粉C的合计100质量份，所述银粉C的含有量超过5.0质量份且小于90.0质量份。
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公开(公告)号：CN111032912A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880049672.8
申请日：2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。
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公开(公告)号：CN114450106B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202080065124.1
申请日：2020-10-14
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 酒金婷
Abstract: 在导电体(12)与基板(14)通过接合材料(13)接合的接合体(10)中，作为接合材料(13)，采用含有将银粉末烧结而成的烧结体、该烧结体的气孔率为8～30％、接合面的表面粗糙度Ra为500nm以上且3.3μm以下的接合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113168931B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202080006006.3
申请日：2020-09-30
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供将电子基板等接合时的接合强度优异的导电性糊料、层叠体及Cu基板或Cu电极与导电体的接合方法。导电性糊料，其特征在于包含：片状银粉A，其粒径在1μm以上且15μm以下的范围内，并且具有2μm以上且5μm以下的中值直径D50；银粉B，其粒径在25μm以上且100μm以下的范围内，并且具有30μm以上且40μm以下的中值直径D50；银粉C，其粒径在10nm以上且190nm以下的范围内，并且具有50nm以上且150nm以下的中值直径D50；以及溶剂；相对于所述片状银粉A、所述银粉B及银粉C的合计100质量份，所述银粉C的含有量超过5.0质量份且小于90.0质量份。
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公开(公告)号：CN112301346A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011191614.4
申请日：2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明涉及铜银合金的合成方法、导通部的形成方法、铜银合金、以及导通部。本发明提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。
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公开(公告)号：CN112301346B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011191614.4
申请日：2018-07-24
Applicant: 千住金属工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明涉及铜银合金的合成方法、导通部的形成方法、铜银合金、以及导通部。本发明提供：可以低温且短时间地简单地合成铜银合金的铜银合金的合成方法、及导通部的形成方法、及铜银合金、及导通部。本发明具备如下工序：墨调制工序，将铜盐颗粒、胺系溶剂、及银盐颗粒混合从而调制铜银墨；涂布工序，将铜银墨涂布于被涂布构件；晶核生成工序，由铜银墨生成晶体粒径为0.2μm以下的铜的晶核及晶体粒径为0.2μm以下的银的晶核中的至少一者；以及，晶核合成工序，合成铜的晶核及前述银的晶核。
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公开(公告)号：CN114450106A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080065124.1
申请日：2020-10-14
Applicant: 千住金属工业株式会社
Inventor： 酒金婷
Abstract: 在导电体(12)与基板(14)通过接合材料(13)接合的接合体(10)中，作为接合材料(13)，采用含有将银粉末烧结而成的烧结体、该烧结体的气孔率为8～30％、接合面的表面粗糙度Ra为500nm以上且3.3μm以下的接合材料。
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公开(公告)号：CN112272851B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201980039267.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 千住金属工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，提供制成烧结体时的电阻值低、导电性优异的导电性糊料和其烧结体。导电性糊料，其包含具有15μm以下的中位直径D50的薄片状银粉、具有25μm以上的中位直径D50的银粉和溶剂，相对于前述薄片状银粉与前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的总计100质量份，前述薄片状银粉的含量为15~70质量份，前述具有25μm以上的中位直径D50的银粉的含量为30~85质量份。
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