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公开(公告)号：CN111614356B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010321459.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 北方工业大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本申请实施例提供了一种栅压自举采样电路，包括采样电路、自举电路、输出开关电路和数字开关电路。采样电路包括NMOS管M5和PMOS管M14，NMOS管M5的源极与PMOS管M14的源极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M14的漏极连接，NMOS管M5的源极与信号源连接，PMOS管M14的栅极输入第一时钟信号；自举电路，用于根据数字开关电路和输出开关电路获取信号源，根据信号源输出自举电压到采样电路；输出开关电路，用于控制自举电容的充电以及自举电容的正极和采样电路之间的通断；数字开关电路，用于控制自举电容的负极和采样电路之间的通断。本申请实施例提供了一种栅压自举采样电路，提高了线性度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112486240A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011450670.5
申请日：2020-12-09
Applicant: 北方工业大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 本申请提供的一种共源极放大器控制的带隙基准电路，包括启动电路、PTAT电流产生电路和共源极放大器控制电路；其中，共源极放大器控制电路包括，MOS管M9、MOS管M0和MOS管M5，以及电阻R1；其中，MOS管M9的源极与MOS管M10的源极连接，MOS管M9的漏极与MOS管M5的栅极连接，MOS管M9的栅极与MOS管M11的漏极连接，MOS管M9的栅极作为单端共源极放大器的输入MOS管；电阻R1的两端分别接在MOS管M5的漏极和栅极之间，MOS管M5的源极与MOS管M0的漏极连接，MOS管M0的栅极与MOS管M5的漏极连接。本申请增加了共源极控制电路，在传统电路中增加了控制反馈系统，使MOS管M10和MOS管M11的VDS始终相等，基本不随输入电压的变化而变化，摆脱了电源电压对该电路的影响，提高了该电路的电源抑制比。
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公开(公告)号：CN111614356A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010321459.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 北方工业大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本申请实施例提供了一种栅压自举采样电路，包括采样电路、自举电路、输出开关电路和数字开关电路。采样电路包括NMOS管M5和PMOS管M14，NMOS管M5的源极与PMOS管M14的源极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M14的漏极连接，NMOS管M5的源极与信号源连接，PMOS管M14的栅极输入第一时钟信号；自举电路，用于根据数字开关电路和输出开关电路获取信号源，根据信号源输出自举电压到采样电路；输出开关电路，用于控制自举电容的充电以及自举电容的正极和采样电路之间的通断；数字开关电路，用于控制自举电容的负极和采样电路之间的通断。本申请实施例提供了一种栅压自举采样电路，提高了线性度。
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公开(公告)号：CN111478704A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010307988.1
申请日：2020-04-17
Applicant: 北方工业大学
IPC: H03M1/38
Abstract: 本申请实施例提供了一种低功耗模拟数字转换器，包括采样开关模块，包括第一栅压自举开关和第二栅压自举开关；电容阵列模块，包括对称分布的P端电容阵列和N端电容阵列，P端电容阵列的最高位电容和次高位电容之间的上极板连接有P端隔离开关，N端电容阵列的最高位电容和次高位电容之间的上极板连接有N端隔离开关；比较器模块，比较器模块的同向端与P端电容阵列的末端电容连接，比较器模块的反向端与N端电容阵列的末端电容连接；数字控制逻辑模块，与比较器模块的输出端连接，用于根据比较器模块的输出数据翻转电容阵列模块的下极板电平。本申请通过设置P端隔离开关和N端隔离开关，降低了后续转换过程中电容阵列的电容数，降低了功耗。
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公开(公告)号：CN112630513B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011432770.5
申请日：2020-12-09
Applicant: 北方工业大学
IPC: G01R19/165
Abstract: 本申请提供一种Boost电容电压检测电路，包括Boost电容电压判断电路和反相器放大电路；Boost电容电压判断电路，包括MOS管M1和MOS管M0，MOS管M1作为输入端，用于判断Boost电容电压；MOS管M0用于为Boost电容电压判断电路提供偏置电流；如果所述Boost电容电压小于所述MOS管M1的阈值电压，则反相器放大电路的输入电压降低，所述反相器放大电路输出所述Boost电容电压状态为欠压状态。通过MOS管M1自身的阈值电压判断Boost电容电压，所述MOS管M1的源极和栅极分别接在所述Boost电容的两端，如果所述Boost电容电压减小至所述MOS管M1的阈值电压，则所述反相器放大电路的输入电压降低，本申请实施例中利用反相器放大电路相当于一个粗略的比较器，进而输出所述Boost电容电压状态为欠压状态。
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公开(公告)号：CN112630513A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011432770.5
申请日：2020-12-09
Applicant: 北方工业大学
IPC: G01R19/165
Abstract: 本申请提供的本申请提供一种Boost电容电压检测电路，包括Boost电容电压判断电路和反相器放大电路；Boost电容电压判断电路，包括MOS管M1和MOS管M0，MOS管M1作为输入端，用于判断Boost电容电压；MOS管M0用于为Boost电容电压判断电路提供偏置电流；如果所述Boost电容电压小于所述MOS管M1的阈值电压，则反相器放大电路的输入电压降低，所述反相器放大电路输出所述Boost电容电压状态为欠压状态。通过MOS管M1自身的阈值电压判断Boost电容电压，所述MOS管M1的源极和栅极分别接在所述Boost电容的两端，如果所述Boost电容电压减小至所述MOS管M1的阈值电压，则所述反相器放大电路的输入电压降低，本申请实施例中利用反相器放大电路相当于一个粗略的比较器，进而输出所述Boost电容电压状态为欠压状态。
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