公开(公告)号：CN116377582A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310619498.9

申请日：2023-05-30

Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

Inventor： 母凤文 ,  刘洋 ,  郭超

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/02 ,  C30B30/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用，属于半导体技术领域，所述生长方法包括以下步骤：（1）在第一衬底表面一次外延生长第一氧化镓薄膜；（2）通过表面活化，将所述第一氧化镓薄膜和所述第二衬底键合；其中，所述第一衬底的热导率小于所述第二衬底的热导率；（3）将部分第一氧化镓薄膜剥离，于所述第二衬底的表面得到第二氧化镓薄膜；（4）在所述第二氧化镓薄膜的表面进行二次外延生长，得到第三氧化镓薄膜。本发明通过键合、剥离的层转移法在热导率高的第二衬底上得到了高质量氧化镓薄膜，解决了第一衬底自身热导率差的问题，以及薄膜质量差的问题，有效提高了氧化镓薄膜的散热效率和使用寿命。

公开(公告)号：CN116334582A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310601968.9

申请日：2023-05-26

Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

Inventor： 刘洋 ,  郭超 ,  母凤文

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供了一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法，所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统包括依次连接的雾化单元与反应单元；雾化单元包括至少一个雾化容器，雾化容器内设置有至少两个雾化模块，至少两个雾化模块分别独立地包括溶液罐与超声波发生机构，溶液罐具有敞口结构，溶液罐内容纳有原料溶液，切换不同雾化模块的超声波发生机构雾化溶液罐内的原料溶液形成雾气，雾气流入反应单元内，以生长依次层叠的至少两层氧化物膜层，或生长具有至少两种掺杂金属的合金氧化物薄膜。本发明提供多种雾化源，可以控制不同浓度配比、不同掺杂金属的原料溶液进行雾化，能够得到具有多层膜层的氧化物膜或合金氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN219260184U

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202321295305.0

申请日：2023-05-26

Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 ,  青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司

Inventor： 刘洋 ,  郭超 ,  母凤文

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/40

Abstract: 本实用新型提供了一种旋转式多源雾化装置及多层氧化物薄膜气相沉积系统，所述旋转式多源雾化装置包括超声波发生模块与雾化模块，所述雾化模块包括旋转支架，所述旋转支架上转动设置有至少两个储液罐体，所述储液罐体的底部设置有隔膜，所述储液罐体内容纳有原料溶液，所述旋转支架用于带动至少两个所述储液罐体交替置于所述超声波发生模块上，所述超声波发生模块用于雾化所述储液罐体内的原料溶液形成雾气。本实用新型能够为薄膜生长提供多种不同的原料溶液，解决了传统Mist‑CVD只能生长单层薄膜的限制，且可以获得高结晶度的多层薄膜。