公开(公告)号：CN119786915A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411653916.7

申请日：2024-11-19

Applicant: 北京邮电大学 ,  辽宁工业大学 ,  中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 黄建明 ,  何小龙 ,  张乃柏 ,  关维国 ,  潘庆华 ,  崔岩松 ,  王子莱 ,  汪春霆

IPC: H01P1/15 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由支流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和金属地组成。金属梁的金属锚点连接到共面波导金属地，右上侧的直流端口通过直流偏置线连接到共面波导金属地，左上侧的直流端口通过直流偏置线连接到金属电极，可以通过在左侧的直流端口输入不同直流电压来控制金属梁的抬起与吸附到电极的状态，分别对应开关的导通与断开状态；本发明设计的并联MEMS开关工作与103.33G‑170G之间，保证断开状态隔离度高于33.67dB；导通状态插入损耗低于0.8dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单。

公开(公告)号：CN119601967A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411652299.9

申请日：2024-11-19

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 ,  辽宁工业大学 ,  北京邮电大学

Inventor： 张乃柏 ,  何小龙 ,  黄建明 ,  关维国 ,  潘庆华 ,  崔岩松 ,  王子莱 ,  汪春霆

IPC: H01Q9/04 ,  H01Q1/50 ,  H01Q1/00 ,  H01Q1/24

Abstract: 本发明公开了一种基于顺序旋转馈电的太赫兹波段圆极化天线，属于射频前端器件领域。该圆极化天线由四个微带贴片，位于辐射贴片上的切角、微带线、微带线馈电端口、顺序旋转馈电网络、介质基板，金属地背板和微带线匹配结构组成。通过严格设计各个端口到馈电网络的电长度来产生90°的相位差来实现圆极化性能，辐射右旋圆极化波，辐射增益为10.47dB，3dB轴比带宽＞8GHZ、3dB轴比范围超90°，覆盖完整半功率波束宽度。天线采用微带线馈电，微带线的损耗叫小，微波传输特性好，天线辐射效率高。天线采用单层板设计，无复杂馈电网络，结构简单、制造方便。

公开(公告)号：CN119560343A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411651917.8

申请日：2024-11-19

Applicant: 辽宁工业大学 ,  中国电子科技集团公司第五十四研究所 ,  北京邮电大学

Inventor： 关维国 ,  潘庆华 ,  黄建明 ,  张乃柏 ,  何小龙 ,  崔岩松 ,  王子莱 ,  汪春霆

IPC: H01H59/00

Abstract: 本发明公开了一种低驱动电压的太赫兹波段复合梁RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，复合梁中间导通结构，复合梁的金属电极，氮化硅绝缘层，石英玻璃衬底，共面波导金属地和金属地组成。该复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，直流端口分别经过直流偏置线连接到金属梁锚点位置及金属电极，可以通过直流端口输入不同直流电压控制复合梁的抬起状态与吸附到电极的下拉状态，分别对应着开关的断开状态与导通状态。复合梁MEMS开关工作在140GHz以下实现低驱动电压、低插入损耗、高隔离度。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变，结构简单，易于制造。