公开(公告)号：CN119088195B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411561916.4

申请日：2024-11-05

Applicant: 北京轩宇信息技术有限公司

Inventor： 马文姬

IPC: G06F1/3228 ,  G11C11/417 ,  G11C29/12 ,  G11C5/14 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3234

Abstract: 本发明公开一种SRAM阵列低功耗控制方法，属于SOC（System on Chip）片上存储技术领域。根据场景需要决定SRAM阵列中哪些组被使用；同时对每组SRAM配置一个Ret模式监测模块进行监测控制；对使用中的每组SRAM，若Ret模式监测模块监测到其计数器达到计数最大值后没有新的访问发起，则将该组SRAM下电，将SRAM置于Ret模式，该组SRAM中数据保持；当新的访问发起时，Ret模式监测模块控制对应的SRAM打开电源、退出Ret模式然后再接收读写操作；对未被使用的每组SRAM直接置Shutdown模式不需要进入Ret模式监测模块进行监测控制。本发明解决大规模SRAM存储阵列中静态（漏电）功耗大的问题。

公开(公告)号：CN119088195A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411561916.4

申请日：2024-11-05

Applicant: 北京轩宇信息技术有限公司

Inventor： 马文姬

IPC: G06F1/3228 ,  G11C11/417 ,  G11C29/12 ,  G11C5/14 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3234

Abstract: 本发明公开一种SRAM阵列低功耗控制方法，属于SOC（System on Chip）片上存储技术领域。根据场景需要决定SRAM阵列中哪些组被使用；同时对每组SRAM配置一个Ret模式监测模块进行监测控制；对使用中的每组SRAM，若Ret模式监测模块监测到其计数器达到计数最大值后没有新的访问发起，则将该组SRAM下电，将SRAM置于Ret模式，该组SRAM中数据保持；当新的访问发起时，Ret模式监测模块控制对应的SRAM打开电源、退出Ret模式然后再接收读写操作；对未被使用的每组SRAM直接置Shutdown模式不需要进入Ret模式监测模块进行监测控制。本发明解决大规模SRAM存储阵列中静态（漏电）功耗大的问题。