-
公开(公告)号：CN117637617A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311677896.2
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种制备垂直沟道金属氧化物半导体晶体管的方法，属于半导体技术领域。本发明首先RIE刻蚀氧化硅隔离层形成沟槽，再分别制备源/漏电极、有源层、栅介质层以及金属栅电极，得到由位于沟槽内的栅极控制的串联垂直沟道氧化物晶体管。采用本发明可以避免源漏交叠区的产生以及其导致的源漏寄生电容；可以通过一次光刻形成两个晶体管的串联。
Search Results
1
records
(took 0.028 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
