通过石墨烯层厚调制二维半导体材料激子共振吸收的方法

    公开(公告)号:CN115207162A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210851392.7

    申请日:2022-07-19

    Abstract: 本发明涉及一种通过石墨烯层厚调制二维半导体材料激子共振吸收的方法,属于二维半导体材料光学性能调制领域。本发明通过改变二维异质结中石墨烯的层厚,在超快激光的激发下,实现对半导体材料激子共振吸收的调制,所述二维异质结由不同层厚的石墨烯与厚度在几个分子(原子)层厚范围内的半导体化材料组成。本发明适用于二维尺度的半导体材料,利用石墨烯没有带隙且吸光光谱很宽的特性,用作光生载流子的聚集区,并通过改变石墨烯的层厚实现了调节二维半导体材料的激子共振吸收强度。本发明可以有效提高光电转化率,从而提升器件性能。

    基于石墨烯异质结的半导体材料激子共振吸收的调制系统

    公开(公告)号:CN115219457A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210855193.3

    申请日:2022-07-19

    Abstract: 本发明涉及一种基于石墨烯异质结的半导体材料激子共振吸收的调制系统,属于超快激光泵浦探测领域。本发明调制系统包括光源系统、差分系统和调制探测系统;光源系统包括二极管激光器、钛宝石激光器、光学参量放大器、第一光学器件(1)、第三光学器件(3)和第四光学器件(4),差分系统包括位移平台、斩波器、锁相放大器和第二光学器件(2),调制探测系统包括异质结样品、显微物镜、相机、第五光学器件(5)、第六光学器件(6)。本发明实现了对二维半导体材料激子共振吸收的调制;同时,由于采用非接触的光学探测手段,因此保证了样品的完整性和测试结果的准确性,能够在保证样品不受损坏的前提条件下,反复进行探测。

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