公开(公告)号：CN103646835A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201310630931.5

申请日：2013-12-02

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘雪峰 ,  陈海芹 ,  刘敏 ,  赵鑫 ,  乔凯明 ,  扈春鹤 ,  于雯雯 ,  谢建新

IPC: H01J5/04 ,  H01J9/24

Abstract: 一种端面金属化陶瓷电真空管及其制备方法。本发明对表面沉积纳米半导体薄膜的陶瓷电真空管的端面之外的其他表面进行精确密封处理，将密封处理后的陶瓷电真空管直接浸入化学镀液中，陶瓷电真空管端面在光源照射下进行氧化还原反应产生初生金属层，然后对陶瓷电真空管端面继续进行化学镀获得一定厚度的金属镀层，取出端面镀覆金属的陶瓷电真空管，洗涤，热处理，去掉表面密封。本发明端面金属化陶瓷电真空管的镀层致密，陶瓷与金属的结合强度高，能满足高真空度等高性能的使用要求；省略了端面金属化陶瓷电真空管传统化学镀制备中的敏化、活化等工序，实现了对镀层的精确控制，工艺流程短、生产成本低、绿色环保，适用范围广、方便灵活，生产效率高，易于大规模制备。

公开(公告)号：CN103646835B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310630931.5

申请日：2013-12-02

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘雪峰 ,  陈海芹 ,  刘敏 ,  赵鑫 ,  乔凯明 ,  扈春鹤 ,  于雯雯 ,  谢建新

IPC: H01J5/04 ,  H01J9/24

Abstract: 一种端面金属化陶瓷电真空管及其制备方法。本发明对表面沉积纳米半导体薄膜的陶瓷电真空管的端面之外的其他表面进行精确密封处理，将密封处理后的陶瓷电真空管直接浸入化学镀液中，陶瓷电真空管端面在光源照射下进行氧化还原反应产生初生金属层，然后对陶瓷电真空管端面继续进行化学镀获得一定厚度的金属镀层，取出端面镀覆金属的陶瓷电真空管，洗涤，热处理，去掉表面密封。本发明端面金属化陶瓷电真空管的镀层致密，陶瓷与金属的结合强度高，能满足高真空度等高性能的使用要求；省略了端面金属化陶瓷电真空管传统化学镀制备中的敏化、活化等工序，实现了对镀层的精确控制，工艺流程短、生产成本低、绿色环保，适用范围广、方便灵活，生产效率高，易于大规模制备。