一种添加晶粒长大抑制剂的WC-Co纳米粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN106825599B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201710038790.6

    申请日:2017-01-19

    Abstract: 本发明提供了一种添加晶粒长大抑制剂的WC‑Co纳米粉末的制备方法,属于粉末冶金粉末制备技术领域。具体制备方法为:以偏钨酸铵、硝酸钴、燃料、硝酸铵、所需添加的晶粒长大抑制剂的金属盐和有机碳源为原料,采用低温燃烧合成法制备氧化物/碳复合粉末,然后在气氛保护下或者真空下进行碳化得到晶粒长大抑制剂掺杂的WC‑Co纳米粉末。本发明采用的低温燃烧合成法属于液相合成法,可以达到了分子级别的混合,这就使得碳化过程中碳质的扩散程短,反应温度和时间要求较低。另外本方法的原料简单易得,设备简单,工艺快捷,适合进行大规模生产。

    一种添加晶粒长大抑制剂的WC‑Co纳米粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN106825599A

    公开(公告)日:2017-06-13

    申请号:CN201710038790.6

    申请日:2017-01-19

    CPC classification number: B22F9/22 C22C1/051

    Abstract: 本发明提供了一种添加晶粒长大抑制剂的WC‑Co纳米粉末的制备方法,属于粉末冶金粉末制备技术领域。具体制备方法为:以偏钨酸铵、硝酸钴、燃料、硝酸铵、所需添加的晶粒长大抑制剂的金属盐和有机碳源为原料,采用低温燃烧合成法制备氧化物/碳复合粉末,然后在气氛保护下或者真空下进行碳化得到晶粒长大抑制剂掺杂的WC‑Co纳米粉末。本发明采用的低温燃烧合成法属于液相合成法,可以达到了分子级别的混合,这就使得碳化过程中碳质的扩散程短,反应温度和时间要求较低。另外本方法的原料简单易得,设备简单,工艺快捷,适合进行大规模生产。

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