公开(公告)号：CN107841790A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710981910.6

申请日：2017-10-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 黄海友 ,  许胜 ,  王辉 ,  刘记立 ,  谢建新

IPC: C30B29/52 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/01

Abstract: 本发明涉及一种取向可控Cu-Al-Mn形状记忆合金单晶的制备方法，属于金属材料制备领域。所述制备方法首先采用定向凝固方法制备沿凝固方向具有 丝织构的柱状多晶Cu-Al-Mn形状记忆合金坯料。然后，采用循环热处理方法，使合金晶粒发生连续异常长大，直至长成单晶；同时，通过控制循环热处理制度和工艺参数，保证单晶生长过程中晶粒取向不发生明显改变，从而获得沿初始凝固方向具有近 取向的Cu-Al-Mn形状记忆合金单晶。本发明所述单晶制备方法实现了固态相变法单晶生长过程中的取向控制，具有可制备大尺寸单晶体(单晶尺寸可达50mm以上)、取向易控、工艺简单等优点。

公开(公告)号：CN107841790B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201710981910.6

申请日：2017-10-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 黄海友 ,  许胜 ,  王辉 ,  刘记立 ,  谢建新

IPC: C30B29/52 ,  C30B11/00 ,  C30B33/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/01

Abstract: 本发明涉及一种取向可控Cu‑Al‑Mn形状记忆合金单晶的制备方法，属于金属材料制备领域。所述制备方法首先采用定向凝固方法制备沿凝固方向具有 丝织构的柱状多晶Cu‑Al‑Mn形状记忆合金坯料。然后，采用循环热处理方法，使合金晶粒发生连续异常长大，直至长成单晶；同时，通过控制循环热处理制度和工艺参数，保证单晶生长过程中晶粒取向不发生明显改变，从而获得沿初始凝固方向具有近 取向的Cu‑Al‑Mn形状记忆合金单晶。本发明所述单晶制备方法实现了固态相变法单晶生长过程中的取向控制，具有可制备大尺寸单晶体(单晶尺寸可达50mm以上)、取向易控、工艺简单等优点。