公开(公告)号：CN120006385A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510010808.6

申请日：2025-01-03

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘金龙 ,  屠菊萍 ,  王昱淇 ,  李聪 ,  赵云 ,  产思义 ,  邵思武 ,  李成明 ,  陈良贤 ,  魏俊俊 ,  张建军

IPC: C30B29/04 ,  C30B25/00

Abstract: 一种提升单晶金刚石半导体掺杂浓度的方法，属于半导体材料技术领域，具体是一种通过改进掺杂工艺提升单晶金刚石中半导体掺杂浓度的方法。本发明的制备方法为化学气相沉积法，工艺步骤为：a.单晶金刚石基体预处理，包括表面抛光、高温酸洗、超声清洗以及氢等离子体刻蚀；b.制备高掺杂浓度的单晶金刚石半导体，通过高频极短时间掺杂气体的快速掺入和抽出，引入掺杂原子，结合氧气加速杂质消耗，可有效促进掺入的掺杂原子形成间隙原子，显著提升载流子浓度，从而制备高浓度掺杂单晶金刚石半导体，并保持单晶金刚石良好的晶体质量。该单晶金刚石半导体可应用于高功率电子器件、高频通信、量子技术、传感器和极端环境设备等领域。