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公开(公告)号：CN111732099B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010519160.2
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种基于催化反应减小纳米金刚石尺寸的方法，属于纳米材料领域。工艺步骤为：a.对所选用人工合成的纳米金刚石粉体先用化学处理的方法进行纯化并分离，然后干燥备用；b.将纯化干燥后的纳米金刚石分散在去离子水中，并磁力搅拌使其形成悬浮液；c.配制金属包裹物前驱体溶液并加入纳米金刚石悬浮液中继续强烈磁力搅拌，待充分混合后向混合液中滴加待反应溶液后继续搅拌；d.搅拌完成后将获得的混合液移入反应釜中加热保温数小时后自然冷却取出，并将冷却液洗涤分离并真空干燥得到纳米金刚石与金属复合物粉体；e.将复合物粉体低温热处理数小时并进行酸处理，分离至中性干燥，最终获得小粒径纳米金刚石材料。该晶粒细化的纳米金刚石粉体能够更好的应用在生物标记等领域。
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公开(公告)号：CN110482482A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910670812.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种绝缘图形化高导热金刚石散热器件的制备方法，属于电子器件制造领域。其工艺步骤为：a.将热导率大于1000W/mK，厚度200-3000μm，直径10-100mm的金刚石膜衬底进行研磨抛光，最终获得粗糙度为1nm-1um的金刚石表面；b.采用光刻工艺将掩模板上周期性目标图形转移到研磨抛光后的金刚石膜上，目标图形为金属化图形，图形尺寸精度0.1μm-1mm；c.通过高能激光烧蚀作用切割将周期性目标图案分离，使每个小尺寸金刚石样品上均布有目标图案，激光加工尺寸精度0.01-0.2mm；d.采用氢等离子体刻蚀将激光切割后的非金刚石相如石墨等刻蚀去除，去除表面石墨污染；e.通过在氧气气氛中加热去除金刚石表面的氢终端，从而实现图形化金刚石电子器件的绝缘，最终获得分离型图形化金刚石电子器件，满足散热组件应用要求。
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公开(公告)号：CN110482482B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910670812.X
申请日：2019-07-24
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种绝缘图形化高导热金刚石散热器件的制备方法，属于电子器件制造领域。其工艺步骤为：a.将热导率大于1000W/mK，厚度200‑3000μm，直径10‑100mm的金刚石膜衬底进行研磨抛光，最终获得粗糙度为1nm‑1um的金刚石表面；b.采用光刻工艺将掩模板上周期性目标图形转移到研磨抛光后的金刚石膜上，目标图形为金属化图形，图形尺寸精度0.1μm‑1mm；c.通过高能激光烧蚀作用切割将周期性目标图案分离，使每个小尺寸金刚石样品上均布有目标图案，激光加工尺寸精度0.01‑0.2mm；d.采用氢等离子体刻蚀将激光切割后的非金刚石相如石墨等刻蚀去除，去除表面石墨污染；e.通过在氧气气氛中加热去除金刚石表面的氢终端，从而实现图形化金刚石电子器件的绝缘，最终获得分离型图形化金刚石电子器件，满足散热组件应用要求。
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公开(公告)号：CN111732099A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010519160.2
申请日：2020-06-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种基于催化反应减小纳米金刚石尺寸的方法，属于纳米材料领域。工艺步骤为：a.对所选用人工合成的纳米金刚石粉体先用化学处理的方法进行纯化并分离，然后干燥备用；b.将纯化干燥后的纳米金刚石分散在去离子水中，并磁力搅拌使其形成悬浮液；c.配制金属包裹物前驱体溶液并加入纳米金刚石悬浮液中继续强烈磁力搅拌，待充分混合后向混合液中滴加待反应溶液后继续搅拌；d.搅拌完成后将获得的混合液移入反应釜中加热保温数小时后自然冷却取出，并将冷却液洗涤分离并真空干燥得到纳米金刚石与金属复合物粉体；e.将复合物粉体低温热处理数小时并进行酸处理，分离至中性干燥，最终获得小粒径纳米金刚石材料。该晶粒细化的纳米金刚石粉体能够更好的应用在生物标记等领域。
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