一种半导体芯片热物性与热应变的同步测量系统及方法

    公开(公告)号:CN119310047B

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411842076.9

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明提供一种半导体芯片热物性与热应变的同步测量系统及方法,属于光学检测技术领域。该发明通过泵浦激光光源模块和探测激光光源模块分别发射不同波长的泵浦激光和探测激光,泵浦激光经过调制信号加载模块进行调制后,通过共线聚焦模块与探测激光合束后照射在半导体芯片样品上,从半导体芯片样品表面反射回的探测激光经过偏振分光模块分离和滤波后进入数据采集模块,通过调节三维样品台模块控制半导体芯片样品的位置实现大面积扫描和自动对准,数据采集模块对采集的数据多参数拟合可同时得到半导体芯片样品的热物性与热应变分布,该发明具有非接触式、高精度、同步测量半导体芯片的热物性与热应变分布、操作简便和性能稳定等优点。

    一种半导体芯片热物性与热应变的同步测量系统及方法

    公开(公告)号:CN119310047A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202411842076.9

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明提供一种半导体芯片热物性与热应变的同步测量系统及方法,属于光学检测技术领域。该发明通过泵浦激光光源模块和探测激光光源模块分别发射不同波长的泵浦激光和探测激光,泵浦激光经过调制信号加载模块进行调制后,通过共线聚焦模块与探测激光合束后照射在半导体芯片样品上,从半导体芯片样品表面反射回的探测激光经过偏振分光模块分离和滤波后进入数据采集模块,通过调节三维样品台模块控制半导体芯片样品的位置实现大面积扫描和自动对准,数据采集模块对采集的数据多参数拟合可同时得到半导体芯片样品的热物性与热应变分布,该发明具有非接触式、高精度、同步测量半导体芯片的热物性与热应变分布、操作简便和性能稳定等优点。

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