公开(公告)号：CN103147054B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310064362.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 冯春 ,  李许静 ,  于广华 ,  李明华

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及磁记录薄膜的制备方法，特别是提供了一种利用记忆合金基底的大弹性应变对磁性颗粒的晶格取向的调控作用，提高磁记录薄膜的剩磁比的方法。所述方法是：在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子，沉积完毕后，加热基底至适当的温度，保持适当的时间后，产生大弹性应变，最后，冷却至室温即可。此发明只需要采用廉价的记忆合金作为基底，在每个晶粒上均匀地产生大弹性应变，因此可以有效地增加整个薄膜的剩磁比；而且，此方法不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低、制备简单等优点，适合应用于未来超高密度磁记录技术中。

公开(公告)号：CN103147054A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310064362.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 冯春 ,  李许静 ,  于广华 ,  李明华

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及磁记录薄膜的制备方法，特别是提供了一种利用记忆合金基底的大弹性应变对磁性颗粒的晶格取向的调控作用，提高磁记录薄膜的剩磁比的方法。所述方法是：在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子，沉积完毕后，加热基底至适当的温度，保持适当的时间后，产生大弹性应变，最后，冷却至室温即可。此发明只需要采用廉价的记忆合金作为基底，在每个晶粒上均匀地产生大弹性应变，因此可以有效地增加整个薄膜的剩磁比；而且，此方法不需要高成本的稀有金属或昂贵的附加装置，因此具有效率高、成本低、制备简单等优点，适合应用于未来超高密度磁记录技术中。