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公开(公告)号：CN117551953A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311614099.X
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种高Sc含量Al‑Sc合金靶材的激光细化方法，所述方法通过对Al‑Sc合金(Sc含量>5at.％)靶材进行激光处理，对其晶粒尺寸进行细化，调整晶体取向和晶界结构。激光扫描轨道平行于合金表面，扫描速度范围为100‑500mm/s，功率为90‑300W，扫描间距50‑150μm，基板温度为25‑150℃。本发明通过激光处理，使得晶粒尺寸从铸态200微米以上细化到50微米以下，低能孪晶界比例大于10％，使原有第二相细化或实现固溶态。本发明解决了铸态Al‑Sc合金靶材晶粒尺寸通常较大且不均匀的问题，可实现Al‑Sc靶材组织均匀、取向随机的Al‑Sc合金靶材的制备。
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