公开(公告)号：CN114105215B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111217342.5

申请日：2021-10-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 孟二超 ,  唐华杰 ,  黄瑛 ,  孙建林

IPC: C01G51/04 ,  C01B32/184 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/52 ,  H01M4/36 ,  H01M4/587 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种四氧化三钴纳米带@氮掺杂石墨烯杂化材料的制备方法。以六水合硝酸钴、尿素和氧化石墨烯为原料，采用溶剂热法制得前驱体材料。制备过程中同步实现碱式碳酸钴纳米带前驱体在氧化石墨烯表面的原位生长、氧化石墨烯的氮掺杂和部分还原。前驱体材料经热处理后，制备出四氧化三钴纳米带@氮掺杂石墨烯杂化材料。该材料兼具四氧化三钴的高能量密度、氮掺杂石墨烯的高导电性及杂化材料的原位复合等特性，最大程度地发挥各因素的协同效应提升杂化材料的储锂性能。在100mA/g电流密度下杂化材料的比容量为1249mAh/g，经100次循环后，仍能保持1221mAh/g的比容量。在5A/g大电流密度下，比容量仍可达500mAh/g。本发明材料具有优异的电化学性能，在储锂方面具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN118866656A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410984227.8

申请日：2024-07-22

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 孟二超 ,  张佳誉 ,  孙建林 ,  黄瑛 ,  苏道昕

IPC: H01L21/02 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明提供了一种基于活化过硫酸盐的碳化硅化学机械抛光方法，属于抛光技术领域，包括以下步骤：（1）抛光前混合抛光液母液与过硫酸盐，得到碳化硅化学机械抛光液；所述抛光液母液包括磨粒、表面活性剂、Fenton试剂和去离子水；（2）在UV光照下，使用抛光液和抛光垫，对碳化硅衬底进行抛光处理。通过本发明的方法可以在碳化硅化学机械抛光中达到较高的材料去除率和较低的表面粗糙度，有效提升磨抛效率，且易漂洗残留少。本发明是基于过渡金属离子活化过硫酸盐产生强氧化性硫酸根自由基的类Fenton反应，结合UV光催化协同活化过硫酸盐产生自由基，高效软化碳化硅表层，提升表层材料的去除率，提高表面平坦化效率。

公开(公告)号：CN114105215A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111217342.5

申请日：2021-10-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 孟二超 ,  唐华杰 ,  黄瑛 ,  孙建林

IPC: C01G51/04 ,  C01B32/184 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M4/52 ,  H01M4/36 ,  H01M4/587 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 一种四氧化三钴纳米带@氮掺杂石墨烯杂化材料的制备方法。以六水合硝酸钴、尿素和氧化石墨烯为原料，采用溶剂热法制得前驱体材料。制备过程中同步实现碱式碳酸钴纳米带前驱体在氧化石墨烯表面的原位生长、氧化石墨烯的氮掺杂和部分还原。前驱体材料经热处理后，制备出四氧化三钴纳米带@氮掺杂石墨烯杂化材料。该材料兼具四氧化三钴的高能量密度、氮掺杂石墨烯的高导电性及杂化材料的原位复合等特性，最大程度地发挥各因素的协同效应提升杂化材料的储锂性能。在100mA/g电流密度下杂化材料的比容量为1249mAh/g，经100次循环后，仍能保持1221mAh/g的比容量。在5A/g大电流密度下，比容量仍可达500mAh/g。本发明材料具有优异的电化学性能，在储锂方面具有广阔应用前景。