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发明公开
一种混合导体层包覆氧化亚硅负极材料及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119153651A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411285302.8

申请日：2024-09-13

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 李兆麟 , 赵海雷 , 娄燕钦 , 杨耀宗

IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/62 , C01B33/113 , C01B32/05

Abstract: 本发明涉及一种混合导体层包覆氧化亚硅负极材料，所述材料包括预锂SiOx材料，所述预锂SiOx材料表面具有包覆层，所述包覆层结构为内部均匀分散锂离子传导活性位点的无定型碳层。该材料的制备方法，包括以下步骤：制备前驱体包覆SiOx材料：在前驱体溶液中加入SiOx/C颗粒，采用包覆工艺，得到前驱体包覆SiOx材料；配置化学预锂剂溶液；锂化还原：将前驱体包覆SiOx材料浸泡在预锂剂溶液中，在惰性气氛下搅拌若干时间，随后进行洗涤烘干，得到锂化SiOx材料；热处理：将锂化SiOx材料进行煅烧，而后进行保温，获得混合导体层包覆预锂SiOx材料。

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