公开(公告)号：CN102296198A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110308405.8

申请日：2011-10-12

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 沈卫平 ,  张苹苹 ,  周亚南 ,  张庆玲 ,  李岩 ,  王拉娣 ,  王占朋 ,  赵晓琳

IPC: C22C1/05 ,  C22C32/00 ,  C22C27/04 ,  B22F3/16

Abstract: 本发明公开了一种纳米TaC弥散强化制备钨块体材料的方法。该制备过程主要包括：通过液相法制备纳米TaC，将纳米TaC和钨粉进行球磨混料；将混合后的粉料装入自制的聚氯乙烯包套中进行冷等静压；冷等静压后的坯体放入石墨模具中，然后将坯体连同石墨模具一起放到叶腊石包套中准备进行超高压力通电烧结。烧结后得到致密度较高和力学性能较好的块体材料，钨块体的相对密度可以达到95.23~99.48%。本发明制备的高致密度钨材料可应用于需承受高热流负荷的聚变堆面向等离子体部件。同时，此高致密度的钨材料还可以应用于航空、航天和原子能等高温领域，因此，高致密度的钨块体材料具有广泛的应用前景。